Автор туралы ақпарат

,

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 52, № 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) ДИАГНОСТИКА SEM Measurements of the Dimensions of Relief Structures in the Technological Process of Manufacturing Microcircuits PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Investigation of the Possibility of Optimizing the Interaction of NV Centers and Photons by Changing the Shape of Microresonators PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ Calculation of the Electric Field Strength and Current Density Inside a Thin Metal Layer, Taking into Account the Skin Effect PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Cross Sections of Scattering Processes in Electron-Beam Lithography PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2 PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) ПРИБОРЫ Oxide Memristors for ReRAM: Approaches, Characteristics, and Structures PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) ПРИБОРЫ Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) ПРИБОРЫ Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture PDF
(Rus)
Том 52, № 2 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Investigation of the Optical Properties of Ultrathin Films Based on Metal Silicide PDF
(Rus)
Том 52, № 1 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) ДИАГНОСТИКА Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Tomography of Detectors Taking Dead Time into Account PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ДИАГНОСТИКА Electrophysical Parameters and Emission Spectra of the Glow Discharge of Difluorodichloromethane PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Precise Tomography of Qudits PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of Silicon FETs with a Fully Enclosed Gate with a High-k Gate Dielectric PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Recording the Polarization State of a Photon in the Correlated Electronic States of an Array of Quantum Dots PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Protective Freely Hanging Films for Projection Lithography Installations in the Extreme UV Range PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Influence of Boundary Conditions on Quantum Magnetotransport in a Thin Film PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of the Effect of Lattice Defects on the Work of Separating Joined Materials PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Study of the Sensitive Region of a MOS Transistor to the Effects of Secondary Particles Arising from Ionizing Radiation PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of the Adsorption and Diffusion of Lithium Atoms on Defective Graphene for a Li-Ion Battery PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ПАМЯТЬ Patterns of the Formation of Mobile Localized Magnetic Configurations and Technology for Manufacturing Structures for the Implementation of Magnetic Memory Elements PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Single Event Displacement Effects in a VLSI PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ПРИБОРЫ Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) МЭМС–УСТРОЙСТВА Fast Electrochemical Micropump for Portable Drug Delivery Module PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) ПРИБОРЫ Influence of Structural Defects on the Electrophysical Parameters of pin-Photodiodes PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Hydrogen Plasma under Conditions of Electron-Cyclotron Resonance in Microelectronics Technology PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) ПРИБОРЫ Multilevel Memristive Structures Based on YBa2Cu3O7–δ Epitaxial Films PDF
(Rus)
Том 52, № 3 (2023) УСТРОЙСТВА Simulation of a System of Nanoantennas Located in a TSV Channel as a System for Receiving and Transmitting Data PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ПРИБОРЫ Influence of Hot Carrier Degradation on the Characteristics of a High-Voltage SOI Transistor with a Large Drift Region PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) СЕНСОРЫ Study of the Sensor Properties of Ordered ZnO Nanorod Arrays for the Detection of UV Radiation PDF
(Rus)
Том 52, № 5 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Effect of the Material of Electrodes on Electroformation and Properties of Memristors Based on Open Metal–SiO2–Metal Sandwich Structures PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Effect of Magnetron Sputtering Power on ITO Film Deposition at Room Temperature PDF
(Rus)
Том 52, № 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) ДИАГНОСТИКА PROBE AND SPECTRAL DIAGNOSTICS OF PLASMA GAS ENVIRONMENT: BCl3-Cl2 PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) МЭМС-УСТРОЙСТВА MEMS SWITCH BASED ON CANTILEVER WITH INCREASED CONTACT FORCE PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of vertical ballistic quantum-barrier field-effect transistor based on undoped AlxGa1–xAs quantum nanowire PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Performance calculation for a MEMS switch with «floating» electrode PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Electrophysical parameters of p-i-n photodiodes, irradiated with 60Co γ-quanta PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ OPTICALLY PUMPED BIPOLAR TRANSISTOR PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Prototypes of devices for heterogeneous hybrid semiconductor electronics with an embedded biomolecular domain PDF
(Rus)
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Design of integrated voltage multipliers using standard CMOS technologies PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Structuring of the Surface of Thin Carbon Films During Activation by Microsecond Current Pulses PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of Physical-Chemical and Electronic Properties of Lithium-Containing 4H—SiC and Binary Phases of the Si—C–Li System PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of the Electronic Properties of M-Doped Supercells (М = Zr, Nb) with a Monoclinic Structure For Lithium-Ion Batteries PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ПРИБОРЫ Electron Transport in a Bipolar Transistor with a Superlattice in the Emitter PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ПРИБОРЫ Research of Memristor Effect in Crossbar Architecture for Neuromorphic Artificial Intelligence Systems PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Application of Spectral Ellipsometry for Dielectric, Metal and Semiconductor Films in Microelectronics Technology PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO2–Mo Sandwich Structures PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Molecular Layering of an Additive Layer of Silicon Dioxide on Anodized Tantalum and Niobium Oxides PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF4 + H2 + Ar: Effect of the CF4/H2 Ratio PDF
(Rus)
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Interconnects Materials for Integrated Circuit Technology Below 5 Nm Node PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) ДИАГНОСТИКА Structural features and electrical properties of si(al) thermal migration channels for high-voltage photovoltaic converters PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling the diffusion of atoms in multicomponent semiconductors in a disordered state PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Application of the finite element method for calculating the surface acoustic wave parameters and devices PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Temporary changes in current flow mechanisms in erbium-doped porous silicon PDF
(Rus)
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Influence of nickel impurities on the operational parameters of a silicon solar cell PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ДИАГНОСТИКА A comprehensive study of nonuniformity properties of the LiCoO2 thin-film cathode fabricated by RF sputtering PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ДИАГНОСТИКА Influence of Hydrogen Additive on Electrophysical Parameters and Emission Spectra of Tetrafluoromethane Plasma PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Thermal modelling and layout optimization of GaN half-bridge IC with integrated drivers and power HEMTs PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of silicon conical field effect GAA nanotransistors with stack SiO2/HfO2 dielectric of gate PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Kinetics of electromigration mass transfer in micro- and nanoelectronics interface elements depending on the strength of thin-film junctions PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ПАМЯТЬ The structure and formation of non-volatile memory cells of Superflash PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ Development of the Ge-MDST instrument structure with an induced p-type channel PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier PDF
(Rus)
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ The Effect оf Laser Radiation оn Functional Properties of MOS Structures PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) ДИАГНОСТИКА Study of the Photovoltaic Parameters of Inorganic Solar Cells Based on Cu2O and CuO PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ CNOT Quantum Gate Based on Spatial Photonic Qubits Under Resonant Electro-Optical Control PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) MEMRISTORS Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Approximation of the Absorption Spectrum of Indium Phosphide in the Context of Simulation of the Process of Sensitivity Enhancement PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology and Strain PDF
(Rus)
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium PDF
(Rus)
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ AZ nLOF series photoresist films on monocrystalline silicon
Том 53, № 5 (2024) ДИАГНОСТИКА Electron cyclotron resonance plasma studies using the second cyclotron harmonic resonance PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Nanophotonic beam-splitter based on quantum dots with förster coupling PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) ЛИТОГРАФИЯ New concept for the development of high-performance X-ray lithography PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Mathematical modeling of a microprocessor liquid cooling system PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Parameters matching of the thermoelectric system parameters for cooling heat-loaded electronics elements PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Investigation of ways to synthesize concurrent error-detection circuits based on boolean signals correction using uniform separable codes PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) NEUROMORPHIC SYSTEMS Development of an imagery representation apparatus for information representation in neyromorphic devices PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) ПРИБОРЫ Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor PDF
(Rus)
Том 53, № 5 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Producing of graphene: deposition and annealing PDF
(Rus)
Том 53, № 6 (2024) ДИАГНОСТИКА Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF6 Plasma
Том 53, № 6 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Influence of Manufacture Imperfections and Electrical Noise on Evolution of a Charge Qubit under Optical Control
Том 53, № 6 (2024) MEMRISTORS Simulation of Memristive Crossbar Array Electrical Behavior in Neuromorphic Electronic Blocks
Том 53, № 6 (2024) MEMRISTORS A Brief Overview of the Typology of Neurons and Analysis of Using Memristor Crossbars
Том 53, № 6 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of Structural Properties and Transport Phenomena in Doped Multicomponent 2D Semiconductors
Том 53, № 6 (2024) ПРИБОРЫ III-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier: Fabrication and Experimental Application
Том 53, № 6 (2024) ПРИБОРЫ Tunnel Breakdown Bipolar Transistor
Том 53, № 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
Том 53, № 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Conductivity Study of Carbon Nanotubes Deposited on Iridium Silicon-Silicide Substrate
Том 54, № 1 (2025) ЛИТОГРАФИЯ Investigation of double patterning method with the usage of antispacer
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Exposure kinetics of a positive photoresist layer on an optically matched substrate
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Influence of boundary conditions on transport in a quantum well
Том 54, № 1 (2025) NANOSTRUCTURES Formation of nickel-based composite magnetic nanostructures for microelectronics and nanodiagnostics devices
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Study of deposition modes of Cu2O films by RF magnetron sputtering for application in solar cell structures
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Development of atomic layer deposition technological platform for the synthesis of micro- and nanoelectronics materials
Том 54, № 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Regularities of X-ray transfer in doped multicomponent semiconductors for dosimetry
Том 54, № 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Measuring adhesion energy between MEMS structures using an adhered cantilever
Том 54, № 2 (2025) MEMRISTORS Multilevel switchings in memristive structures based on oxidized lead selenide
Том 54, № 2 (2025) NANOSTRUCTURES Electrical characteristics of ruthenium lines with a cross-sectional area less than 1000 nm²
Том 54, № 2 (2025) NANOTRANSISTORS Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors
Том 54, № 2 (2025) ПРИБОРЫ Ferroelectric transistors: operating principles, materials, applications
Том 54, № 2 (2025) ТЕХНОЛОГИИ PRECISION ETCHING OF ALUMINUM CONDUCTORS IN THE TECHNOLOGY OF SWITCHING DEVICES OF MICROSYSTEMS TECHNOLOGY
Том 54, № 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Method for automated calculation of grains and voids in metal films and TSV-structures
Том 54, № 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Structure of thin titanium nitride films deposited by magnetron sputtering
Том 54, № 3 (2025) MEMRISTORS Reinforcement learning of spiking neural networks using trace variables for synaptic weights with memristive plasticity
Том 54, № 3 (2025) MEMRISTORS STABILIZATION OF MEMRISTOR CELL STATES DURING INITIAL SWITCHING PROCESS AFTER FORMING
Том 54, № 3 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Features of upsets formation in VLSI under pulsed ionizing radiation
Том 54, № 3 (2025) ПРИБОРЫ Temperature characteristics of a simple current mirror on silicon high-voltage nLDMOS with a large drift area
Том 54, № 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ NANOSTRUCTURED RUTHENIUM ETCHING IN THREE-COMPONENT Cl2/O2/Ar PLASMA
Том 54, № 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Self-assembly of 3d mesostructures using local ion-plasma treatment
Том 54, № 4 (2025) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Development of a correlator for measuring the second-order autocorrelation function of single-photon sources
Том 54, № 4 (2025) ЛИТОГРАФИЯ Perspectives of electron-beam and ion-beam lithography development in Russia
Том 54, № 4 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of Self-Assembly of Microinductors Produced Due to Residual Mechanical Stress
Том 54, № 4 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Electrical conductivity of a thin polycrystalline film considering various specularity coefficients
Том 54, № 4 (2025) NEUROMORPHIC SYSTEMS Training of a Spiking Neural Network with a Consideration of Memristive Crossbar Array Characteristics
Том 54, № 4 (2025) NEUROMORPHIC SYSTEMS Hardware implementation of an asynchronous analog neural network with training based on unified cmos ip blocks
Том 54, № 4 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Effect of rapid thermal annealing on the formation of aluminum-silicon and aluminum-polysilicon ohmic contacts in integrated microcircuits
Том 54, № 4 (2025) ТЕХНОЛОГИИ MULTILAYER EPITAXIAL SILICON STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS GROWN BY SUBLIMATION MOLECULAR BEAM EPITAXI

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».