Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Том 54, № 5 (2025)
ДИАГНОСТИКА
Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе
Аннотация
Облучение электронами может использовать как имитация облучения гамма-излучения. В работе представлен метод расчета поглощенной энергии электронов в различных материалах в широком диапазоне атомных номеров и пересчета этой энергии в поглощенную дозу, которая эквивалентна керме гамма-излучения. Основными параметрами представленной модели являются эффективный атомный номер мишени Z eff , ее плотность ρ и энергия электронов E 0 . Для пересчета поглощенной дозы также необходимо учитывать поток электронов F , а также толщину рассматриваемого слоя. Проведено сравнение результатов воздействия облучения электронами с энергией в несколько кэВ и гамма-излучения.
Микроэлектроника. 2025;54(5):347-356
347-356
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ: УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА
Аннотация
Представлены результаты комплексных исследований температурной зависимости электрического сопротивления тонких магнетронных пленок Al от их структурных характеристик: морфологии, шероховатости поверхности, микроструктуры и плотности. С целью установления фундаментальной связи удельного сопротивления со структурными особенностями пленок они осаждались на стандартные подложки Si(111) в режиме двухстадийного роста с формированием гомобуферных слоев в температурном диапазоне от 293 до 800 К. Структурная характеризация образцов была выполнена методами сканирующей силовой и электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии. Показано, что величину и температурную зависимость удельного сопротивления пленок алюминия можно изменять за счет варьирования условий роста гомобуферного слоя, позволяющего осаждать пленки с различным профилем плотности по толщине. Установлено, что магнетронная 120 нм пленка алюминия на 700 К гомобуферном слое с постоянной плотностью 2.66 г/см 3 имеет удельное сопротивление ρ RT = 2.69 мкОм см и Т с = 1.22 К. Пленки Al с переменной плотностью имели остаточное сопротивление 30 мкОм см. Основной вклад в сопротивление таких пленок дают межзеренные области с меньшей плотностью, что надежно фиксируется методом рентгеновской рефлектометрии.
Микроэлектроника. 2025;54(5):357-370
357-370
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Прецизионная реконструкция поляризационных квантовых состояний в условиях зашумленных измерений
Аннотация
Представлен алгоритм формирования адекватной модели реконструкции поляризационных квантовых состояний в условиях шума. Для корректного анализа статистики считывания квантовых состояний применена математическая модель нечетких измерений. Показано, что разработанный метод позволяет существенно повысить точность восстановления поляризационных состояний в условиях влияния квантовых шумов и процессов декогерентизации.
Микроэлектроника. 2025;54(5):371-380
371-380
МОДЕЛИРОВАНИЕ
О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2
Аннотация
Проведено комплексное (экспериментальное и модельное) исследование состава нейтральной и заряженной компонент плазмы SF 6 + He + O 2 при варьировании соотношения He/O 2 . Выявлены ключевые плазмохимические процессы, формирующие стационарные концентрации атомов фтора и кислорода в условиях избытка фторсодержащих частиц. Показано, что скорректированная (уточненная по результатам последних работ и дополненная ранее не учитываемыми процессами) кинетическая схема обеспечивает удовлетворительное согласие расчетных концентраций атомов с величинами, полученными по результатам оптико-спектральной диагностики плазмы.
Микроэлектроника. 2025;54(5):381-392
381-392
ПРИБОРЫ
Структура и материалы FinFET транзисторов
Аннотация
В работе представлен комплексный обзор развития технологий трехмерных транзисторов FinFET. Рассмотрены особенности формирования FinFET транзисторов различных производителей, а также применяемые в них материалы и основные подходы к усовершенствованию технологий их производства. На основе открытых источников проведен анализ и сравнение основных характеристик FinFET транзисторов выполненных с технологическими нормами производства – от 22 до 3 нм.
Микроэлектроника. 2025;54(5):393-428
393-428
ТЕХНОЛОГИИ
Обработка пластин карбида кремния связанным алмазным инструментом
Аннотация
В статье рассмотрены результаты, полученные в процессе грубого, тонкого и финишного шлифования пластин поликристаллического и монокристаллического карбида кремния с использованием новых типов связанного алмазного инструмента на органической связке и нового состава смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ).
Микроэлектроника. 2025;54(5):429-437
429-437
О влиянии различных кислородсодержащих газов на состав плазмы трифторметана
Аннотация
Проведено модельное исследование состава нейтральной компоненты плазмы в смесях CHF 3 + O 2 , CHF 3 + СO и CHF 3 + СO 2 в условиях индукционного 13.56 МГц разряда, возбуждаемого при постоянном давлении (6 мтор) и вкладываемой мощности (700 Вт). Показано, что влияние добавок CO и CO 2 существенно отличается от «классического» эффекта кислорода, сопровождающегося резким увеличением химической активности и снижением полимеризационной способности плазмы. Достоверность полученных данных подтверждена удовлетворительным согласием расчетных концентраций атомов фтора с результатами актинометрического эксперимента.
Микроэлектроника. 2025;54(5):438-446
438-446
ДЕФОРМИРОВАНИЕ МЕМБРАНЫ МЭМС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С НАНЕСЕННЫМ НАПРЯЖЕННЫМ СЛОЕМ
Аннотация
С использованием метода Ритца проведен расчет максимального прогиба мембраны и величины механических напряжений в зависимости от геометрических размеров мембраны и параметров нанесенного слоя SiO 2 со сжимающими механическими напряжениями. Проведена сравнительная оценка величины деформации и механических напряжений в структуре преобразователя абсолютного давления с радиусом поликремниевой мембраны 50 мкм и в “сэндвичной” структуре МЭМС-преобразователя акустического давления, состоящей из слоев поликремния и осажденного SiO 2, с радиусом мембраны 300 мкм.
Микроэлектроника. 2025;54(5):447-458
447-458