Influence of Structural Defects on the Electrophysical Parameters of pin-Photodiodes
- Authors: Koval’chuk N.S.1, Lastovskii S.B.2, Odzhaev V.B.3, Petlitskii A.N.1, Prosolovich V.S.3, Shestovsky D.V.1, Yavid V.Y.3, Yankovskii Y.N.3
-
Affiliations:
- OAO INTEGRAL—Holding Management Company
- Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus
- Belarusian State University
- Issue: Vol 52, No 4 (2023)
- Pages: 307-314
- Section: ПРИБОРЫ
- URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/138572
- DOI: https://doi.org/10.31857/S054412692370045X
- EDN: https://elibrary.ru/JBLRNE
- ID: 138572
Cite item
Abstract
The results of studies of electrophysical parameters of pin-silicon-based photodiodes, depending on their operating modes (external bias and temperature), manufactured on single-crystal silicon wafers of p-type conduction orientation (100) with ρ = 1000 ohm cm, are presented. The p+-type region (isotype junction) is created by the implantation of boron ions; the n+-type region, by the diffusion of phosphorus from the gas phase. It is established that on the voltage-current characteristics under reverse bias, three regions of dark cur-rent variation depending on the applied voltage can be distinguished, sublinear, superlinear, and linear, caused by various mechanisms of the generation-recombination processes in the depletion region of the pn-junction. A noticeable dependence of the barrier capacitance value (at a frequency of 1 kHz) and the size of the depletion region on temperature is observed only when the applied reverse voltages do not exceed the contact potential difference (V ≤ 1 V).
About the authors
N. S. Koval’chuk
OAO INTEGRAL—Holding Management Company
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220108 Republic of Belarus
S. B. Lastovskii
Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220072 Republic of Belarus
V. B. Odzhaev
Belarusian State University
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220050 Republic of Belarus
A. N. Petlitskii
OAO INTEGRAL—Holding Management Company
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220108 Republic of Belarus
V. S. Prosolovich
Belarusian State University
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220050 Republic of Belarus
D. V. Shestovsky
OAO INTEGRAL—Holding Management Company
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220108 Republic of Belarus
V. Yu. Yavid
Belarusian State University
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220050 Republic of Belarus
Yu. N. Yankovskii
Belarusian State University
Author for correspondence.
Email: prosolovich@bsu.by
Minsk, 220050 Republic of Belarus
References
- João Pereira do Carmo, Moebius B., Pfennigbauer M., Bond R., Bakalski I., Foster M., Bellis S., Humphries M., Fisackerly R., Houdou B. Imaging lidars for space applications // Novel Optical Systems Design and Optimization. XI. 2008. V. 7061. P. 70610J-01‒70610J-12.
- De Carlo P. M., Roberto L., Marano G., L’Abbate M., Oricchio D., Venditti P. Intersatellite link for earth observation satellites constellation // SPACEOPS, Roma, Italy. 2006. P. 19–23.
- Солодуха В.А., Шведов С.В., Петлицкий А.Н., Петлицкая Т.В., Чигирь Г.Г., Пилипенко В.А., Филипеня В.А., Жигулин Д.В., Уситименко Д.С. Анализ дефектов интегральных схем с использованием растрового электронного микроскопа в режиме наведенного тока // Современные информационные и электронные технологии: сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции, Одесса, 28 мая–01 июня 2018 г. Одесса, 2018. С. 48‒49.
- Sze S.M., Lee M.K. Semiconductor Devices: Physics and Technology. Pub. 3. John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited. 2012. 582 p.
- Буслюк В.В., Оджаев В.Б., Панфиленко А.К., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Филипеня В.А., Янковский Ю.Н. Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 4. С. 315–320.
- Liefting R., Wijburg R.C.M., Custer J.C., Wallinga H. Improved device performance by multistep or carbon co-implants. IEEE Trans. Electron Devices // 1994. V. ED-41. P. 50–55.
- Оджаев В.Б., Панфиленко А.К., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шведов С.В., Филипеня В.А., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н. Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n-p-n-транзистора // Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-тэхнiчных навук. 2018. Т. 63. № 2. С. 244–249.
- Сорокин Ю.Г. Влияние дислокаций на электрические параметры p-n-переходов // Тр. Всес. Электротехнического института. 1980. № 90. С. 91–101.
- Plantinga G.H. Effect of dislocation on the transistors parameters fabricated by shallow diffusied // IEEE Trans. Electron Devices. 1969. V. 16. № 4. P. 394–400.
- Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии / Под ред. С.Н. Горина. М.: Мир, 1984. 472 с.
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
- Таланин В.И., Таланин И.Е. Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния // Физика твердого тела. 2013. Т. 55. Вып. 2. С. 247–251.
- Климанов Е.А. О механизмах геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии при диффузии фосфора и бора // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. № 2. С. 121–125.
- Hugo S.A., Hiesmair H., Weber E.R. Gettering of metallic impurities in photovoltaic silicon // Applied Physics A. 1997. V. 64. № 2. P. 127–137.
- Берман Л.С. Варикапы. М.–Л.: “Энергия”, 1965. 40 с.