Vol 52, No 1 (2023)

The processes of plasma-chemical and reactive-ion etching of silicon in trifluoromethane (CHF3) are studied using optical emission spectroscopy. The dependences of the radiation intensities of atoms and mol-ecules on the etching time, input power, and pressure of the plasma-forming gas are obtained and analyzed.

Дан обзор работ автора, связанных с мозгом человека как объектом электроники. Рассмотрены следующие вопросы: предложенные полная электронная интерпретация функционирования мозга и комплексный иерархический подход его исследования; сознание человека; перспективы и проблемы создания сверхразума; перспективы использования наноэлектроники, наноматериалов и нанотехнологий в исследовании мозга человека.

For the first time, the problem of the distribution of the electric field and electric current inside a thin metal layer in the presence of the skin effect is solved, taking into account the mirror-diffuse nature of the reflection of electrons from the inner surfaces of the layer. Limiting cases are considered and the results obtained are discussed.

The local environment of atoms in a semiconductor compound TlInTe2 with tetragonal syngony is studied by the density functional theory (DFT). The introduction of a point defect (indium vacancies) into the TlInTe2 lattice is modeled using supercells. The DFT electronic properties (total and local partial densities of states (PDOS) of electrons) are modeled for the primitive TlInTe2 cell (16 atoms per unit cell) and for the defective TlInTe2  cell (where is the vacancy In) consisting of 32 atoms. The DFT-GGA calculations of the TlInTe2  band structure show that the band gap ( ) is = 1.21 eV. This value is significantly dif-ferent from the experimental value. The Hubbard model is used to correct the interaction of particles in the lattice. The DFT-GGA + U (U is the Hubbard potential) calculated by the TlInTe2  band gap is 0.97 eV. For the TlInTe2  supercell, the energies of the formation of a vacancy, the chemical potential of indium, and the standard enthalpy of the formation of TlInTe2 are calculated. When explaining the effect of various factors on the transport phenomena in TlInTe2, their thermal and electrical conductivity, both the DFT-calculated data and experimental data, are used. Taking into account the experimental data for the p-TlInTe2 crystals, the mechanism of conduction in the direction of structural chains (c axis of the crystal) is established. From the experimental data in the temperature range  = 148–430 K, the band gap  = 0.94 eV and the activation energy of impurity conduction  = 0.1 eV (at 210–300 K) are estimated. At temperatures of ≤ 210 K, DC hopping conduction takes place in the p-TlInTe2 crystals. With this in mind, the following physical parameters are calculated for p-TlInTe2: the density of states localized near the Fermi level, their energy spread, and the average hopping distance.

A significant increase in the fill factor of Schottky matrices is achieved by reading the charge accu-mulated in the Schottky diode not by using charge-coupled device (CCD) registers but by injecting it into the signal bus, similarly to charge-injected device (CID) structures on narrow-gap semiconductors. In this case, the multielement matrix contains horizontal buses to poll the elements of the selected row, vertical signal lines, and a metal–oxide–semiconductor (MOS) switch for connecting the polled column and the matrix of photosensitive elements, each consisting of a photosensitive Schottky diode and a MOS switch.

Проведено исследование электрофизических параметров плазмы, концентраций атомов фтора и кинетики реактивно-ионных гетерогенных процессов в смеси CF₄ + C₄F₈ + Ar + He при варьировании соотношения Ar/He и мощности смещения в условиях индукционного ВЧ 13.56 МГц разряда. Схема исследования включала диагностику плазмы с помощью зондов Лангмюра и оптической эмиссионной спектроскопии, а также измерение скоростей и анализ механизмов травления SiO₂ в приближении эффективной вероятности взаимодействия. Установлено, что замещение аргона на гелий оказывает заметное влияние на кинетику и концентрацию атомов фтора через параметры электронной компоненты плазмы. Напротив, увеличение мощности смещения практически не отражается на составе газовой фазы, но сопровождается пропорциональным изменением энергии ионной бомбардировки. Найдено, что в исследованном диапазоне условий процесс травления SiO₂ характеризуется отсутствием ионно-лимитируемых стадий, при этом поведение его скорости определяется кинетикой гетерогенной реакции Si + xF → SiF_x. Переменное значение эффективной вероятности данной реакции отслеживает изменение доли свободных активных центров, определяемой скоростями высаживания и деструкции фторуглеродной полимерной пленки.