Список статей

Выпуск Название Файл
Том 52, № 4 (2018) Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics
Mironova M., Zubkov V., Dudin A., Glinskii G.
Том 50, № 10 (2016) Self-synchronization of the modulation of energy-levels population with electrons in GaAs induced by picosecond pulses of probe radiation and intrinsic stimulated emission
Ageeva N., Bronevoi I., Zabegaev D., Krivonosov A.
Том 53, № 9 (2019) Semiconductor Heterolasers with Double-Mirror Two-Dimensional Bragg Resonators
Baryshev V., Ginzburg N., Zaslavsky V., Malkin A.
Том 53, № 10 (2019) Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels
Gordeev N., Payusov A., Maximov M.
Том 51, № 11 (2017) Semiconductor Structures with a one-dimensional quantum channel and in-plane side gates fabricated by pulse force nanolithography
Borisov V., Kuvshinova N., Kurochka S., Sizov V., Stepushkin M., Temiryazev A.
Том 50, № 7 (2016) Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films
Ivanov P., Kudoyarov M., Kozlovski M., Potapov A., Samsonova T.
Том 53, № 8 (2019) Sensing Amorphous/Crystalline Silicon Surface Passivation by Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy of Amorphous Silicon on Glass
Abolmasov S., Abramov A., Semenov A., Shakhray I., Terukov E., Malchukova E., Trapeznikova I.
Том 51, № 4 (2017) Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments
Zegrya G., Savenkov G., Morozov V., Zegrya A., Ulin N., Ulin V., Lukin A., Bragin V., Oskin I., Mikhailov Y.
Том 51, № 3 (2017) Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types
Kukushkin S., Osipov A., Red’kov A.
Том 53, № 5 (2019) Setup for Measuring the Thermoelectric Properties of Ultrathin Wires
Uryupin O., Shabaldin A.
Том 53, № 10 (2019) Sharp Drop in the Mobility of Holes with a Decrease in Their Two-Dimensional Concentration by an External Voltage in Boron δ-Doped Diamond Layers
Kukushkin V.
Том 53, № 1 (2019) Sheet Resistance of the TiAlNiAu Thin-Film Metallization of Ohmic Contacts to Nitride Semiconductor Structures
Torkhov N.
Том 50, № 2 (2016) Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Sobolev N., Kalyadin A., Konovalov M., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Shtel’makh K., Mikhaylov A., Tetel’baum D.
Том 53, № 2 (2019) Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light
Basalaeva L., Nastaushev Y., Dultsev F., Kryzhanovskaya N., Moiseev E.
Том 51, № 4 (2017) Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics
Solovan M., Brus V., Mostovyi A., Maryanchuk P., Orletskyi I., Kovaliuk T., Abashin S.
Том 53, № 4 (2019) Simulated Contrast of Two Dislocations
Ledra M., El Hdiy A.
Том 51, № 13 (2017) Simulating a Cell Based on a Three-Dimensional Heterojunction with Distributed Charge-Carrier Generation
Shulezhko V., Morozova E.
Том 52, № 8 (2018) Simulating Tunneling Electron Transport in the Semiconductor–Crystalline Insulator–Si(111) System
Vexler M.
Том 52, № 16 (2018) Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
Том 53, № 6 (2019) Simulation Approach to Modeling of the Avalanche Breakdown of a p–n Junction
Shashkina A., Hanin S.
Том 51, № 6 (2017) Simulation of drift-diffusion transport of charge carriers in semiconductor layers with a fractal structure in an alternating electric field
Rekhviashvili S., Alikhanov A.
Том 52, № 10 (2018) Simulation of Electron and Hole States in Si Nanocrystals in a SiO2 Matrix: Choice of Parameters of the Empirical Tight-Binding Method
Belolipetskiy A., Nestoklon M., Yassievich I.
Том 50, № 11 (2016) Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range
Pavelyev D., Vasilev A., Kozlov V., Koschurinov Y., Obolenskaya E., Obolensky S., Ustinov V.
Том 51, № 6 (2017) Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition threshold
Gorbatyuk A., Ivanov B.
Том 51, № 7 (2017) Simulation of the Qmax mode of a thermoelectric cooler taking into account thermal resistances at the cool and hot sides
Melnikov A., Phiri A., Tarasova I., Batrameev N.
1126 - 1150 из 1443 результатов << < 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».