Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels

N. Yu. Gordeev; A. S. Payusov; M. V. Maximov

doi:10.1134/S1063782619100087

Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels

Авторы: Gordeev N.Y.¹, Payusov A.S.¹, Maximov M.V.²
Учреждения:
1. Ioffe Institute
2. St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences
Выпуск: Том 53, № 10 (2019)
Страницы: 1405-1408
Раздел: Physics of Semiconductor Devices
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207246
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100087
ID: 207246

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The construction of a semiconductor laser with a stripe waveguide is proposed, the geometry of which can make it possible to obtain radiation similar to that of a phase-locked laser array. The requirements for the parameters of the laser quasi-array and the technological feasibility of the proposed approach are discussed.