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Pesquisa

Edição
Título
Autores
Volume 53, Nº 13 (2019)
Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers
Mokhov D., Berezovskaya T., Nikitina E., Shubina K., Mizerov A., Bouravleuv A.
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(Eng)
Volume 53, Nº 11 (2019)
Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN?
Titov A., Karabeshkin K., Karaseov P., Struchkov A.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Sakharov A., Kaliteevskii M., Voznyuk G., Levitskii I., Mitrofanov M., Tsatsulnikov A., Lundin W., Rodin S., Usov S., Evtikhiev V.
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(Eng)
Volume 53, Nº 9 (2019)
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
Lundin W., Tsatsulnikov A., Rodin S., Sakharov A., Mitrofanov M., Levitskii I., Voznyuk G., Evtikhiev V.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
Etching of Disc and Ring Patterns in Si3N4/GaN Structure by Ga+ FIB
Mitrofanov M., Voznyuk G., Rodin S., Lundin W., Evtikhiev V., Tsatsulnikov A.
PDF
(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
The Cavity-Effect in Site-Controlled GaN Nanocolumns with InGaN Insertions
Kazanov D., Evropeytsev E., Shubina T.
PDF
(Eng)
Volume 52, Nº 9 (2018)
Template Synthesis of Monodisperse Spherical Nanocomposite SiO2/GaN:Eu3+ Particles
Stovpiaga E., Eurov D., Kurdyukov D., Smirnov A., Yagovkina M., Yakovlev D., Golubev V.
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(Eng)
Volume 53, Nº 14 (2019)
Luminescence Line Broadening Caused by Alloy Disorder in InGaN Quantum Wells
Arteev D., Sakharov A., Lundin W., Zavarin E., Zakheim D., Tsatsulnikov A.
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(Eng)
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