Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 3 (2016)
Optical and Structural Properties of Composite Si:Au Layers Formed by Laser Electrodispersion
Ken O., Levitskii V., Yavsin D., Gurevich S., Davydov V., Sreseli O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Investigation of the Initial Silicon-on-Sapphire Layer Formed by CVD Techniques
Fedotov S., Sokolov E., Statsenko V., Romashkin A., Timoshenkov S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
Gusev O., Belolipetskiy A., Yassievich I., Kukin A., Terukova E., Terukov E.
PDF
(Eng)
Том 51, № 13 (2017)
Production of Silicon Nanoparticles for Use in Solar Cells
Gribov B., Zinov’ev K., Kalashnik O., Gerasimenko N., Smirnov D., Sukhanov V., Kononov N., Dorofeev S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Composition and optical properties of amorphous a-SiOx:H films with silicon nanoclusters
Terekhov V., Terukov E., Undalov Y., Parinova E., Spirin D., Seredin P., Minakov D., Domashevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy
Lipkova E., Efimova A., Gonchar K., Presnov D., Eliseev A., Lapshin A., Timoshenko V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Positive Charge in SOS Heterostructures with Interlayer Silicon Oxide
Popov V., Antonov V., Vdovin V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Effect of ionic Ag+ transfer on localization of metal-assisted etching of silicon surface
Pyatilova O., Sysa A., Gavrilov S., Yakimova L., Pavlov A., Belov A., Raskin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Mechanism of Singlet-Oxygen Generation on the Surface of Excited Nanoporous Silicon
Samosvat D., Chikalova-Luzina O., Zegrya G.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Mizerov A., Arsentyev I., Leiste H., Rinke M.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Makarov A., Tyaginov S., Kaczer B., Jech M., Chasin A., Grill A., Hellings G., Vexler M., Linten D., Grasser T.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-K oxide/SiO2/Si structure
Vexler M., Grekhov I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Influence of the Surface Layer on the Electrochemical Deposition of Metals and Semiconductors into Mesoporous Silicon
Chubenko E., Redko S., Sherstnyov A., Petrovich V., Kotov D., Bondarenko V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions
Cherkova S., Skuratov V., Volodin V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
Uvarov A., Zelentsov K., Gudovskikh A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Effect of the Temporal Characteristics of Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase on ncl-Si Growth in an a-SiOx:H matrix (\({{C}_{{{{{\text{O}}}_{{\text{2}}}}}}}\) = 15.5 mol %)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Epitaxially Grown Monoisotopic Si, Ge, and Si1–xGex Alloy Layers: Production and Some Properties
Detochenko A., Denisov S., Drozdov M., Mashin A., Gavva V., Bulanov A., Nezhdanov A., Ezhevskii A., Stepikhova M., Chalkov V., Trushin V., Shengurov D., Shengurov V., Abrosimov N., Riemann H.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Influence of the Metallization Composition and Annealing Process Parameters on the Resistance of Ohmic Contacts to n-type 6H-SiC
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Gudkov V., Garmash V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes
Lebedev A., Kozlovski V., Ivanov P., Levinshtein M., Zubov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Template Synthesis of Monodisperse Submicrometer Spherical Nanoporous Silicon Particles
Kurdyukov D., Feoktistov N., Kirilenko D., Smirnov A., Davydov V., Golubev V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si
Teplyakov M., Ken O., Goryachev D., Sreseli O.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A., Lyaskovskii V., Rybin N., Rybina N., Forsh P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries
Astrova E., Li G., Rumyantsev A., Zhdanov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates
Timoshnev S., Mizerov A., Lapushkin M., Kukushkin S., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 46 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».