Список статей

Выпуск Название Файл
Том 52, № 11 (2018) Radiation Resistance of Terahertz Diodes Based on GaAs/AlAs Superlattices
Pavelyev D., Vasilev A., Kozlov V., Obolenskaya E.
Том 50, № 6 (2016) Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon n+–p structures
Lastovskii S., Markevich V., Yakushevich H., Murin L., Krylov V.
Том 52, № 13 (2018) Radiation-Induced Damage of Silicon-Carbide Diodes by High-Energy Particles
Strel’chuk A., Kozlovski V., Lebedev A.
Том 51, № 12 (2017) Radiation-produced defects in germanium: Experimental data and models of defects
Emtsev V., Kozlovski V., Poloskin D., Oganesyan G.
Том 50, № 5 (2016) Radiation-stimulated processes in transistor temperature sensors
Pavlyk B., Grypa A.
Том 51, № 3 (2017) Radiative d–d transitions at tungsten centers in II–VI semiconductors
Ushakov V., Krivobok V., Pruchkina A.
Том 52, № 7 (2018) Radiative Recombination, Carrier Capture at Traps, and Photocurrent Relaxation in PbSnTe:In with a Composition Close to Band Inversion
Ishchenko D., Neizvestny I.
Том 53, № 11 (2019) Raman Scattering in AlN Crystals Grown by Sublimation on SiC and AlN Seeds
Breev I., Anisimov A., Wolfson A., Kazarova O., Mokhov E.
Том 51, № 2 (2017) Raman scattering in InP doped by Be+-ion implantation
Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A.
Том 53, № 4 (2019) Raman Scattering in InSb Spherical Nanocrystals Ion-Synthesized in Silicon-Oxide Films
Tyschenko I., Volodin V., Popov V.
Том 52, № 9 (2018) Raman Spectra of Thick Epitaxial GaN Layers Formed on SiC by the Sublimation Sandwich Method
Anisimov A., Wolfson A., Mokhov E.
Том 52, № 6 (2018) Rb1 – xCsxNO3 (x = 0.025, 0.05, 0.1) Single Crystals and Their High-Temperature X-Ray Study
Haziyeva A., Nasirov V., Asadov Y., Aliyev Y., Jabarov S.
Том 52, № 10 (2018) Recombination in GaAs p–i–n Structures with InGaAs Quantum-Confined Objects: Modeling and Regularities
Mintairov M., Evstropov V., Mintairov S., Salii R., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 53, № 12 (2019) Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures
Muratov T.
Том 53, № 14 (2019) Record Low Threshold Current Density in Quantum Dot Microdisk Laser
Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zubov F., Mikhailovskii M., Abramov A., Maximov M., Kulagina M., Guseva Y., Livshits D., Zhukov A.
Том 52, № 4 (2018) Red Single-Photon Emission from InAs/AlGaAs Quantum Dots
Rakhlin M., Belyaev K., Klimko G., Mukhin I., Ivanov S., Toropov A.
Том 52, № 13 (2018) Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films
Feklistov K., Cherkov A., Popov V., Fedina L.
Том 52, № 11 (2018) Reduction of Internal Loss and Thermal Resistance in Diode Lasers with Coupled Waveguides
Zhukov A., Gordeev N., Shernyakov Y., Payusov A., Serin A., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M.
Том 50, № 10 (2016) Reflectance of a PbSb2Te4 crystal in a wide spectral range
Nemov S., Ulashkevich Y., Povolotskii A., Khlamov I.
Том 51, № 10 (2017) Reflectance spectra of p-Bi2Te3:Sn crystals in a wide IR region
Nemov S., Ulashkevich Y., Allahkhah A.
Том 52, № 16 (2018) Reflectometry of X-ray Whispering Gallery Waves Propagating along Liquid Meniscuses
Goray L., Asadchikov V., Roshchin B., Volkov Y., Tikhonov A.
Том 52, № 12 (2018) Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy
Gorshkov A., Volkova N., Pavlov D., Usov Y., Istomin L., Levichev S.
Том 53, № 11 (2019) Relation between the Relaxation of Intrinsic Stimulated Picosecond Emission from GaAs with a Characteristic Charge-Carrier Cooling Time
Ageeva N., Bronevoi I., Zabegaev D., Krivonosov A.
Том 50, № 9 (2016) Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2–Si structures
Kalygina V., Egorova I., Novikov V., Prudaev I., Tolbanov O.
Том 50, № 4 (2016) Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons
Kumekov S., Mustafin A., Mussatay S.
1076 - 1100 из 1443 результатов << < 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».