Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 12 (2017) Production and identification of highly photoconductive CdSe-based hybrid organic-inorganic multi-layer materials
Yfanti-Katti M., Prokopos-Chouliaras F., Milonakou-Koufoudaki K., Mitzithra C., Kordatos K., Hamilakis S., Kollia C., Loizos Z.
Том 52, № 12 (2018) Production of Si- and Ge-Based Thermoelectric Materials by Spark Plasma Sintering
Erofeeva I., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Kuznetsov Y., Popov A., Lantsev E., Boryakov A., Kotomina V.
Том 51, № 13 (2017) Production of Silicon Nanoparticles for Use in Solar Cells
Gribov B., Zinov’ev K., Kalashnik O., Gerasimenko N., Smirnov D., Sukhanov V., Kononov N., Dorofeev S.
Том 50, № 8 (2016) Prompt quality monitoring of InSe and GaSe semiconductor crystals by the nuclear quadrupole resonance technique
Samila A., Lastivka G., Khandozhko V., Kovalyuk Z.
Том 52, № 6 (2018) Properties of Lead-Sulfide Nanoparticles in a Multicrystalline Structure
Zhukov N., Rokakh A., Shishkin M.
Том 53, № 7 (2019) Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate
Bessolov V., Konenkova E., Orlova T., Rodin S., Seredova N., Solomnikova A., Shcheglov M., Kibalov D., Smirnov V.
Том 51, № 3 (2017) Properties of ZnO:Er3+ films obtained by the sol–gel method
Malyutina-Bronskaya V., Semchenko A., Sidsky V., Fedorov V.
Том 51, № 7 (2017) Prospects of using rare-earth hexaborides in thermoelectric single-photon detectors
Kuzanyan A., Kuzanyan A., Nikoghosyan V., Gurin V., Volkov M.
Том 53, № 6 (2019) Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetectors with Schottky Barriers
Kalinina E., Violina G., Nikitina I., Yagovkina M., Ivanova E., Zabrodski V.
Том 51, № 3 (2017) Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
Lunin L., Lunina M., Devitsky O., Sysoev I.
Том 51, № 7 (2017) Purcell effect in disordered one-dimensional photonic crystals
Gubaydullin A., Ivanov K., Nikolaev V., Kaliteevski M.
Том 52, № 4 (2018) Purcell Effect in Tamm Plasmon Structures with QD Emitter
Gubaydullin A., Symonds C., Bellessa J., Ivanov K., Kolykhalova E., Sasind M., Pozina G., Kaliteevski M.
Том 50, № 4 (2016) Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells
Kosyachenko L., Lytvynenko V., Maslyanchuk O.
Том 52, № 9 (2018) Quantization of the Electromagnetic Field in Three-Dimensional Photonic Structures on the Basis of the Scattering Matrix Formalism (S Quantization)
Ivanov K., Gubaydullin A., Kaliteevski M.
Том 53, № 4 (2019) Quantum Confined Stark Effect and Temperature Dependencies of Photoluminescence of InAs Quantum Dots Coupled with AlGaAs/GaAs Two Dimensional Electron Gas
Khmissi H., El Sayed A.
Том 53, № 11 (2019) Quantum Corrections and Magnetotransport in 3D Dirac Semimetal Cd3 –xMnxAs2 Films
Mekhiya A., Kazakov A., Oveshnikov L., Davydov A., Ril A., Marenkin S., Aronzon B.
Том 51, № 10 (2017) Quantum corrections to the conductivity and anomalous Hall effect in InGaAs quantum wells with a spatially separated Mn impurity
Oveshnikov L., Nekhaeva E.
Том 50, № 7 (2016) Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy
Parkhomenko Y., Dement’ev P., Moiseev K.
Том 52, № 4 (2018) Quantum Dynamics of a Domain Wall in the Presence of Dephasing
Castelnovo C., Dykman M., Smelyanskiy V., Moessner R., Pryadko L.
Том 52, № 15 (2018) Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
Том 50, № 12 (2016) Quantum Hall effect and hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures
Gudina S., Arapov Y., Saveliev A., Neverov V., Podgornykh S., Shelushinina N., Yakunin M., Vasil’evskii I., Vinichenko A.
Том 52, № 6 (2018) Quantum Oscillations of Photoconductivity Relaxation in p–i–n GaAs/InAs/AlAs Heterodiodes
Khanin Y., Vdovin E.
Том 52, № 14 (2018) Quantum Rings Dressed by a High-Frequency Electromagnetic Field
Kibis O., Kozin V., Iorsh I., Shelykh I.
Том 51, № 4 (2017) Quantum-well charge and voltage distribution in a metal–insulator–semiconductor structure upon resonant electron Tunneling
Vexler M., Illarionov Y., Grekhov I.
Том 52, № 6 (2018) Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures
Poklonski N., Vyrko S., Dzeraviaha A.
1051 - 1075 из 1443 результатов << < 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».