Список статей

Выпуск Название Файл
Том 54, № 2 (2025) ПРЕЦИЗИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ПРОВОДНИКОВ В ТЕХНОЛОГИИ КОММУТИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ
Дидык П.И., Жуков А.А.
Том 53, № 2 (2024) Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе PDF
(Rus)
Койгеров А.С.
Том 53, № 1 (2024) Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники PDF
(Rus)
Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В.
Том 52, № 6 (2023) Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям PDF
(Rus)
Синюкин А.С., Коноплев Б.Г., Ковалев А.В.
Том 52, № 6 (2023) Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом PDF
(Rus)
Баранов М.А., Карсеева Э.К., Цыбин О.Ю.
Том 53, № 2 (2024) Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии PDF
(Rus)
Битюков В.К., Лавренов А.И.
Том 53, № 5 (2024) Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств PDF
(Rus)
Симонов Н.А.
Том 54, № 1 (2025) Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники
Амашаев Р.Р., Исубгаджиев Ш.М., Рабаданов М.Х., Абдулагатов И.М.
Том 54, № 4 (2025) Разработка коррелятора для измерения автокорреляционной функции второго порядка источников одиночных фотонов
Салказанов А.Т., Гусев А.С., Каргин Н.И., Калошин М.М., Клоков В.А., Косогорова Т.А., Маргушин Р.Е., Саури А.Д., Сычев А.А., Вергелес С.С.
Том 52, № 1 (2023) Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора PDF
(Rus)
Локотко В.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И.
Том 52, № 3 (2023) Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора PDF
(Rus)
Цунваза Д., Рыжук Р.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И., Клоков В.А.
Том 53, № 3 (2024) Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа PDF
(Rus)
Алябина Н.А., Архипова Е.А., Бузынин Ю.Н., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Титова А.М., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
Том 52, № 1 (2023) Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта PDF
(Rus)
Завитаев Э.В., Русаков О.В., Чухлеб Е.П.
Том 52, № 6 (2023) Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом PDF
(Rus)
Морозов М.О., Уваров И.В.
Том 54, № 1 (2025) Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
Том 54, № 3 (2025) Самосборка трехмерных мезоструктур с использованием локальной ионно-плазменной обработки
Бабушкин А.С., Селюков Р.В., Амиров И.И., Наумов В.В., Изюмов М.О.
Том 54, № 2 (2025) Сегнетоэлектрические транзисторы: принципы работы, материалы, приложения
Резнюков А.Ю., Фетисенкова К.А., Рогожин А.Е.
Том 52, № 2 (2023) Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии PDF
(Rus)
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
Том 53, № 5 (2024) Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники PDF
(Rus)
Васильев Е.Н.
Том 53, № 6 (2024) Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
Том 54, № 3 (2025) СТАБИЛИЗАЦИЯ СОСТОЯНИЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ В ПРОЦЕССЕ НАЧАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЙ ПОСЛЕ ФОРМОВКИ
Фадеев А.В., Руденко К.В.
Том 53, № 3 (2024) Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash PDF
(Rus)
Абдуллаев Д.А., Боброва Е.В., Милованов Р.А.
Том 54, № 3 (2025) Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнитронного распыления
Исаев А.Г., Рогожин А.Е.
Том 53, № 1 (2024) Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности PDF
(Rus)
Нефедов Д.В., Шабунин Н.О., Браташов Д.Н.
Том 53, № 2 (2024) Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей PDF
(Rus)
Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Татаринцев А.А., Попов В.П., Малибашев А.В.
Том 53, № 5 (2024) Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора PDF
(Rus)
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
Том 54, № 3 (2025) Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой drift областью
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
Том 53, № 3 (2024) Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами PDF
(Rus)
Кагадей В.А., Кодорова И.Ю., Полынцев Е.С.
Том 52, № 4 (2023) Томографии детекторов с учетом мертвого времени PDF
(Rus)
Богданов Ю.И., Катамадзе К.Г., Борщевская Н.А., Авосопянц Г.В., Богданова Н.А., Кулик С.П., Лукичев В.Ф.
Том 54, № 1 (2025) Формирование композитных магнитных наноструктур на основе никеля для устройств микроэлектроники и нанодиагностики
Воробьева А.И., Тишкевич Д.И., Уткина Е.А., Ходин А.А.
Том 53, № 4 (2024) Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора PDF
(Rus)
Фадеев А.В., Руденко К.В.
Том 54, № 2 (2025) Электрические характеристики рутениевых дорожек с площадью поперечного сечения менее 1000 нм²
Глаз О.Г., Рогожин А.Е.
Том 54, № 4 (2025) Электропроводность тонкой поликристаллической пленки с учетом различных коэффициентов зеркальности
Кузнецова И.А., Романов Д.Н.
Том 52, № 6 (2023) Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со PDF
(Rus)
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
Том 52, № 5 (2023) Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана PDF
(Rus)
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Гришков А.Э.
Том 52, № 1 (2023) Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана PDF
(Rus)
Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А., Чесноков И.А., Гогулев И.А.
101 - 136 из 136 результатов << < 1 2 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».