Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 5 (2017) Characteristics of the Schottky barriers of two-terminal thin-film Al/nano-Si film/ITO structures
Kononov N., Dorofeev S.
Том 52, № 13 (2018) Charge Accumulation in MOS Structures with a Polysilicon Gate under Tunnel Injection
Aleksandrov O., Ageev A., Zolotarev S.
Том 51, № 12 (2017) Charge density at the Al2O3/Si interface in Metal–lnsulator–Semiconductor devices: Semiclassical and quantum mechanical descriptions
Hlali S., Hizem N., Kalboussi A.
Том 53, № 12 (2019) Charge Transfer in Gap Structures Based on the Chalcogenide System (As2Se3)100 –xBix
Castro R., Khanin S., Smirnov A., Kononov A.
Том 50, № 5 (2016) Charge transfer in rectifying oxide heterostructures and oxide access elements in ReRAM
Stefanovich G., Pergament A., Boriskov P., Kuroptev V., Stefanovich T.
Том 51, № 7 (2017) Charge-carrier density collapse in layered crystals of the family [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]m[(Bi,Sb)2(Te,Se)3]n (m, n = 0, 1, 2…)
Korzhuev M.
Том 53, № 9 (2019) Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission
Shastin V., Zhukavin R., Kovalevsky K., Tsyplenkov V., Rumyantsev V., Shengurov D., Pavlov S., Shuman V., Portsel L., Lodygin A., Astrov Y., Abrosimov N., Klopf J., Hübers H.
Том 50, № 7 (2016) Chloride epitaxy of β-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates
Nikolaev V., Pechnikov A., Stepanov S., Sharofidinov S., Golovatenko A., Nikitina I., Smirnov A., Bugrov V., Romanov A., Brunkov P., Kirilenko D.
Том 51, № 6 (2017) Classical magnetoresistance of a two-component system induced by thermoelectric effects
Alekseev P., Gornyi I., Dmitriev A., Kachorovskii V., Semina M.
Том 52, № 14 (2018) Classification of Energy States of the Exciton in Square Quantum Well
Belov P.
Том 51, № 11 (2017) Cleaved-edge photoluminescence spectroscopy of multilayer heterostructures
Plankina S., Vikhrova O., Zvonkov B., Nezhdanov A., Pashen’kin I.
Том 52, № 14 (2018) CNT-Based Label-Free Electrochemical Sensing of Native DNA with Allele Single Nucleotide Polymorphism
Grushevskaya H., Krylova N., Lipnevich I., Babenka A., Egorova V., Chakukov R.
Том 53, № 5 (2019) Coefficient of the Performance of a Segmented Thermoelectric Cooling Leg
Drabkin I.
Том 53, № 10 (2019) Coherence Dynamics of the Exciton-Polariton System in GaAs Microcavities under Pulse Resonant Photoexcitation
Kulakovskii V., Demenev A.
Том 51, № 9 (2017) Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes
Royz M., Baranov A., Imenkov A., Burenina D., Pivovarova A., Monakhov A., Grebenshchikova E., Yakovlev Y.
Том 52, № 1 (2018) Combined Ultramicrotomy and Atomic Force Microscopy Study of the Structure of a Bulk Heterojunction in Polymer Solar Cells
Alekseev A., Al-Afeef A., Hedley G., Kharintsev S., Efimov A., Yedrisov A., Dyuzhev N., Samuel I.
Том 53, № 13 (2019) Comparative Analysis of Double Gate Junction Less (DG JL) and Gate Stacked Double Gate Junction Less (GS DG JL) MOSFETs
Shrey Arvind Singh ., Shweta Tripathi .
Том 53, № 10 (2019) Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
Том 53, № 3 (2019) Comparative Studies of AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode High Electron Mobility Transistors with Virtual Channel Layers by Hybrid Gate Recesses Approaches
Tsai J., Lin P., Chen Y., Liou S., Niu J.
Том 50, № 8 (2016) Comparison of the characteristics of solar cells fabricated from multicrystalline silicon with those fabricated from silicon obtained by the monolike technology
Betekbaev A., Mukashev B., Pelissier L., Lay P., Fortin G., Bounaas L., Skakov D., Kalygulov D., Turmagambetov T., Lee V.
Том 53, № 9 (2019) Comparison of the Features of Electron Transport and Subterahertz Generation in Diodes Based on 6-, 18-, 70-, and 120-Period GaAs/AlAs Superlattices
Obolenskaya E., Ivanov A., Pavelyev D., Kozlov V., Vasilev A.
Том 53, № 10 (2019) Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors
Shobolova T., Korotkov A., Petryakova E., Lipatnikov A., Puzanov A., Obolensky S., Kozlov V.
Том 51, № 8 (2017) Complex structure of optical transitions from the core d-levels of InAs and InSb crystals
Sobolev V., Perevoshchikov D.
Том 52, № 5 (2018) Composition and Band Structure of the Native Oxide Nanolayer on the Ion Beam Treated Surface of the GaAs Wafer
Mikoushkin V., Bryzgalov V., Nikonov S., Solonitsyna A., Marchenko D.
Том 50, № 2 (2016) Composition and optical properties of amorphous a-SiOx:H films with silicon nanoclusters
Terekhov V., Terukov E., Undalov Y., Parinova E., Spirin D., Seredin P., Minakov D., Domashevskaya E.
101 - 125 из 1443 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».