Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 11 (2017) Effect of the surface on transport phenomena in PbSnTe:In/BaF2 films
Akimov A., Klimov A., Suprun S., Epov V.
Том 53, № 2 (2019) Effect of the Temperature of Photonic Annealing on the Structural and Optical Properties of ZnO Films Synthesized by Dual Magnetron-Assisted Sputtering
Zaitsev S., Vaschilin V., Kolesnik V., Limarenko M., Prokhorenkov D., Evtushenko E.
Том 52, № 10 (2018) Effect of the Temporal Characteristics of Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase on ncl-Si Growth in an a-SiOx:H matrix (\({{C}_{{{{{\text{O}}}_{{\text{2}}}}}}}\) = 15.5 mol %)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
Том 50, № 3 (2016) Effect of the Ti-Nanolayer Thickness on the Self-Lift-off of Thick GaN Epitaxial Layers
Yugov A., Malahov S., Donskov A., Duhnovskii M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
Том 50, № 11 (2016) Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer δ-doped with Mn
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Drozdov M.
Том 53, № 8 (2019) Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
Uvarov A., Zelentsov K., Gudovskikh A.
Том 52, № 5 (2018) Effect of Transverse Electric Field on Polariton Reflectance Spectra of Wide Quantum Wells
Loginov D., Donets A.
Том 50, № 2 (2016) Effect of transverse electric field on the longitudinal current–voltage characteristic of graphene superlattice
Kryuchkov S., Kukhar’ E.
Том 50, № 8 (2016) Effect of uniaxial deformation on the current–voltage characteristic of a p-Ge/n-GaAs heterostructure
Gadzhialiev M., Pirmagomedov Z., Efendieva T.
Том 53, № 5 (2019) Effective Bi–Sb Crystals for Thermoelectric Cooling at Temperatures of T ≲ 180 K
Sidorenko N., Dashevsky Z.
Том 53, № 12 (2019) Effects of Doping of Lead Sulfide with Silver on the Lattice and Optical Properties of Pb1 –xAgxS Solid Solutions
Sadovnikov S.
Том 51, № 8 (2017) Effects of irradiation with 8-MeV protons on n-3C-SiC heteroepitaxial layers
Lebedev A., Ber B., Oganesyan G., Belov S., Lebedev S., Nikitina I., Seredova N., Shakhov L., Kozlovski V.
Том 51, № 10 (2017) Effects of local photoexcitation of high-concentration charge carriers in silicon
Musaev A.
Том 50, № 10 (2016) Efficiency droop in GaN LEDs at high injection levels: Role of hydrogen
Bochkareva N., Sheremet I., Shreter Y.
Том 50, № 8 (2016) Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices
Pankin D., Smirnov M., Davydov V., Smirnov A., Zavarin E., Lundin W.
Том 50, № 4 (2016) Electric field effect on lowest excited-state binding energy of hydrogenic impurity in (In,Ga)N parabolic wire
El Ghazi H., Jorio A.
Том 52, № 2 (2018) Electrical Activity of Extended Defects in Multicrystalline Silicon
Pescherova S., Yakimov E., Nepomnyashchikh A., Pavlova L., Feklisova O., Presnyakov R.
Том 53, № 4 (2019) Electrical and Optical Characteristics of Si-Nanoparticle Films Deposited onto Substrates by High-Voltage Electrospraying from Ethanol Sols
Bubenov S., Dorofeev S., Kononov N., Davydova D.
Том 53, № 7 (2019) Electrical and Optical Properties of Unrelaxed InAs1 –xSbx Heteroepitaxial Structures
Guseynov R., Tanriverdiyev V., Belenky G., Kipshidze G., Aliyeva Y., Aliguliyeva K., Alizade E., Ahmadova K., Abdullayev N., Mamedov N., Zverev V.
Том 50, № 8 (2016) Electrical and photoelectric properties of n-TiN/p-Hg3In2Te6 heterostructures
Solovan M., Mostovyi A., Brus V., Maistruk E., Maryanchuk P.
Том 50, № 12 (2016) Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface
Koryazhkina M., Tikhov S., Gorshkov O., Kasatkin A., Antonov I.
Том 50, № 3 (2016) Electrical and Photoelectric Properties of the TiN/p-InSe Heterojunction
Orletsky I., Ilashchuk M., Brus V., Marianchuk P., Solovan M., Kovalyuk Z.
Том 53, № 2 (2019) Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs:Si} Superlattices Grown by MBE on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates
Galiev G., Klimov E., Klochkov A., Kopylov V., Pushkarev S.
Том 51, № 9 (2017) Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on InxGa1 – xAs (x > 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation
Ponomarev D., Khabibullin R., Yachmenev A., Pavlov A., Slapovskiy D., Glinskiy I., Lavrukhin D., Ruban O., Maltsev P.
Том 52, № 3 (2018) Electrical Breakdown in Pure n- and p-Si
Bannaya V., Nikitina E.
301 - 325 из 1443 результатов << < 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».