Electronic Properties of Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 52, № 2 (2018) Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime PDF
(Eng)
Ormont M., Zvyagin I.
Том 52, № 2 (2018) Dielectric Properties and Conductivity of Ag-Doped TlGaS2 Single Crystals PDF
(Eng)
Mustafaeva S., Asadov S., Kerimova E.
Том 52, № 2 (2018) Electrically Active States of Charge Capture and Transfer Causing Slow Recombination in Thallium-Bromide Crystals at Low Temperatures PDF
(Eng)
Kažukauskas V., Garbačauskas R., Savicki S.
Том 52, № 2 (2018) Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers PDF
(Eng)
Sobolev M., Soldatenkov F.
Том 52, № 1 (2018) On Mobility of Definite Energy Charge Carriers PDF
(Eng)
Belousov Y., Gorelkin V., Chernousov I.
Том 52, № 1 (2018) Effect of Hydrostatic Pressure on the Static Permittivity of Germanium PDF
(Eng)
Musaev A.
Том 51, № 12 (2017) Radiation-produced defects in germanium: Experimental data and models of defects PDF
(Eng)
Emtsev V., Kozlovski V., Poloskin D., Oganesyan G.
Том 51, № 12 (2017) Study and simulation of electron transport in Ga0.5ln0.5Sb based on Monte Carlo method PDF
(Eng)
El Ouchdi A., Bouazza B., Belhadji Y., Massoum N.
Том 51, № 10 (2017) Effects of local photoexcitation of high-concentration charge carriers in silicon PDF
(Eng)
Musaev A.
Том 51, № 9 (2017) Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range PDF
(Eng)
Karachinsky L., Novikov I., Blokhin S., Bobrov M., Zadiranov Y., Troshkov S., Egorov A., Babichev A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Gladyshev A.
Том 51, № 9 (2017) Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon PDF
(Eng)
Sobolev N., Kalyadin A., Shek E., Shtel’makh K.
Том 51, № 9 (2017) Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial GaxIn1 – xP alloys on their optical properties PDF
(Eng)
Seredin P., Goloshchapov D., Lenshin A., Lukin A., Khudyakov Y., Arsentyev I., Prutskij T.
Том 51, № 9 (2017) Temperature dependence of the atomic structure and electrical activity of defects in ZnSb thermoelectric lightly doped with copper PDF
(Eng)
Prokofieva L., Nasredinov F., Konstantinov P., Shabaldin A.
Том 51, № 8 (2017) Complex structure of optical transitions from the core d-levels of InAs and InSb crystals PDF
(Eng)
Sobolev V., Perevoshchikov D.
Том 51, № 8 (2017) Impurity levels in Hg3In2Te6 crystals PDF
(Eng)
Chupyra S., Grushka O., Bilichuk S.
Том 51, № 7 (2017) Tensoresistance of n-Ge with different crystallographic orientations in the presence of a classically high magnetic field and without it PDF
(Eng)
Gaidar G., Baranskii P.
Том 51, № 7 (2017) Effect of doping with rare-earth elements (Eu, Tb, Dy) on the conductivity of Bi2Te3 layered single crystals PDF
(Eng)
Abdullayev N., Jafarli K., Aliguliyeva K., Aliyeva L., Kahramanov S., Nemov S.
Том 51, № 6 (2017) Electrical properties of ZnSe crystals doped with transition elements PDF
(Eng)
Nitsuk Y., Vaksman Y.
Том 51, № 6 (2017) Simulation of drift-diffusion transport of charge carriers in semiconductor layers with a fractal structure in an alternating electric field PDF
(Eng)
Rekhviashvili S., Alikhanov A.
Том 51, № 6 (2017) Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates PDF
(Eng)
Galiev G., Klochkov A., Vasil’evskii I., Klimov E., Pushkarev S., Vinichenko A., Khabibullin R., Maltsev P.
Том 51, № 5 (2017) Ab initio calculations of phonon dispersion in CdGa2Se4 PDF
(Eng)
Dzhakhangirli Z., Kerimova T., Abdullayev N., Mamedova I., Mamedov N.
Том 51, № 5 (2017) Parameters of ZnO films with p-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering PDF
(Eng)
Mezdrogina M., Vinogradov A., Levitskii V., Terukova E., Kozhanova Y., Aglikov A.
Том 51, № 5 (2017) Picosecond relaxation of band-gap renormalization induced by the Coulomb interaction of charge carriers in GaAs PDF
(Eng)
Ageeva N., Bronevoi I., Zabegaev D., Krivonosov A.
Том 51, № 4 (2017) On the peculiarities of galvanomagnetic effects in high magnetic fields in twisting bicrystals of the 3D topological insulator Bi1–xSbx (0.07 ≤ x ≤ 0.2) PDF
(Eng)
Muntyanu F., Gheorghitsa E., Gilewski A., Chistol V., Bejan V., Munteanu V.
Том 51, № 3 (2017) Improvement in the accuracy of determining impurity compensation in pure weakly compensated germanium from breakdown-field strength PDF
(Eng)
Bannaya V.
51 - 75 из 123 результатов << < 1 2 3 4 5 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».