🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Список статей

Выпуск Название Файл
Том 46, № 4 (2017) Optimization of ohmic contacts to n-GaAs layers of heterobipolar nanoheterostructures
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Garmash V.
Том 46, № 2 (2017) Optimization of the synthesis of carbon nanotubes to improve the efficiency of chemical posttreatments of the prepared material
Pavlov A., Sysa A., Shaman Y., Bazarova M., Gavrilin I., Polokhin A.
Том 47, № 8 (2018) Optimization Problems of Nanosized Semiconductor Heterostructures
Abgaryan K.
Том 46, № 5 (2017) Organizing the memory array of multiport register files to reduce power consumption
Solovyeva L., Kirichenko P.
Том 46, № 7 (2017) Parameter Calculation and Investigation of a MIS Varicap with Charge Transfer for L-Range Microwave Devices
Surin Y., Spiridonov A., Litsoev S., Martinova V., Mezhov A., Karpovskaya A.
Том 47, № 6 (2018) Parameters of Plasma and Kinetics of Active Particles in CF4 (CHF3) + Ar Mixtures of a Variable Initial Composition
Efremov A., Murin D., Kwon K.
Том 48, № 6 (2019) Parameters of Plasma and Way of Etching Silicon in a CF4 + CHF3 + O2 Mixture
Efremov A., Murin D., Kwon K.
Том 46, № 3 (2017) Partitioning very hard semiconductor sapphire wafers into monolithic integrated circuits using laser controlled thermal cleavage
Shchavruk N., Redkin S., Trofimov A., Ivanova N., Skripnichenko A., Kondratenko V., Styran V.
Том 48, № 8 (2019) Peculiarities of the Crystal Structure and Texture of Isotropic and Anisotropic Polycrystalline Hexagonal Ferrites BaFe12O19 Synthesized by Radiation-Thermal Sintering
Isaev I., Bryazgin A., Korobeynikov M., Mihaylenko M., Kalinyuk M., Belokon’ E., Korovushkin V., Alekseev A., Ostafijchuk B., Mokljak V., Nalogin A., Kostishin V., Shcherbakov S., Salogub D.
Том 46, № 5 (2017) Peculiarities of the energy landscape of a rectangular magnetic nanoisland
Trushin O., Barabanova N.
Том 45, № 2 (2016) Photoelectric and optical properties of Schottky-barrier photodiodes based on IrSi–Si
Kerimov E.
Том 45, № 8-9 (2016) Photosensitive heterostructures based on porous nanocrystalline silicon
Latukhina N., Rogozhin A., Saed S., Chepurnov V.
Том 45, № 5 (2016) Physicochemical deposition features of peritectic alloys for high-density chipping of silicon crystals
Roshchin V., Dshkhunyan V., Petukhov I., Sen’chenko K., Vagin M.
Том 47, № 8 (2018) Polysilicon Market Development and Production Technologies
Mitin V., Kokh A.
Том 48, № 4 (2019) Possibility of Controlling the Impurity Concentration in the Near-Surface Layers of Films Grown by the ALD Method
Fadeev A., Rudenko K.
Том 46, № 3 (2017) Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
Erofeev E., Fedin I., Yurjev Y.
Том 45, № 4 (2016) Practical aspects of producing MIS structures with good prospects using atomic layer deposition technology
Aliabev A., Korotkov A.
Том 48, № 7 (2019) Precision L-Band Analog-Digital Phase Shifter with a 0°–360° Phase Change
Efimov A., Kuptsov E., Martynova V., Spiridonov A., Surin Y.
Том 48, № 8 (2019) Prediction of Potential Barrier at Crystallite Boundaries in Poly- and Nanocrystalline Semiconductors
Ilin A., Gololobov V., Forsh E., Forsh P., Kashkarov P.
Том 45, № 8-9 (2016) Prospects of the polysilicon market
Nekrasov A., Naumov A.
Том 47, № 6 (2018) Quality Control of a Multilayer Spin-Tunnel Structure with the Use of a Combination of Analytical Methods
Trushin O., Simakin S., Vasiliev S., Smirnov E.
Том 47, № 4 (2018) Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field
Zinovieva A., Nenashev A., Koshkarev A., Zarodnyuk T., Gornov A., Dvurechenskii A.
Том 48, № 7 (2019) Radio-Wave Method of Control of the Heterogeneity of the Electrophysical Parameters of Dielectrics Using a Scanning Microstrip Line
Baranov A., Sergeev V.
Том 45, № 7 (2016) Refined model of low-impedance film resistors with a comb-like structure
Sadkov V., Lopatkin A.
Том 48, № 3 (2019) Reflection Spectra Modification of Diazoquinone-Novolak Photoresist Implanted with B and P Ions
Brinkevich D., Kharchenko A., Prosolovich V., Odzhaev V., Brinkevich S., Yankovskii Y.
226 - 250 из 331 результатов << < 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».