🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Список статей

Выпуск Название Файл
Том 45, № 3 (2016) Formation of silver and zinc selenide relief patterns by the lift-off photolithography method
Lysich D., Zelentsov S., Kotomina V., Antonov I.
Том 45, № 8-9 (2016) Formation of three-dimensional structures in the silicon carbide substrates by plasma-chemical etching
Seidman L.
Том 46, № 7 (2017) Formation of Two-Component Vertical Contact Structures for Mounting Integrated-Circuit Chips
Roshchin V., Petukhov I., Sen’chenko K., Roshchina A., Shilina T.
Том 47, № 2 (2018) Frequency Characteristics of GaN Field-Effect Transistors with Traps in the Barrier Layer
Aleshin A., Zenchenko N., Ponomarev D., Ruban O.
Том 48, № 5 (2019) Functional Properties and Frequency Characteristics of Low-Sensitive RC Filters Based on Micropower Operational Amplifiers
Denisenko D., Prokopenko N., Ivanov Y.
Том 46, № 3 (2017) Functional testing of digital signal processors in radiation experiments
Marfin V., Nekrasov P., Kalashnikov O., Nikiforov A.
Том 46, № 2 (2017) Gas-phase etching of SiO2 layers in an HF/C2H5OH mixture
Rudakov G.
Том 47, № 2 (2018) Generation and Concentration of Terahertz Radiation in a Microcavity with an Open Quantum Dot
Tsukanov A., Kateev I.
Том 47, № 3 (2018) Geometric Effects in Current-Voltage Characteristics of a Cross-Shaped MDM Ni/NiO/Fe Structure
Malikov I., Berezin V., Fomin L., Mikhailov G.
Том 46, № 3 (2017) Graphene flexible touchscreen with integrated analog-digital converter
Vlasov A., Terent’ev D., Shakhnov V.
Том 47, № 3 (2018) Helium Bubbles Formed in Si(001) Layers after High-Dose Implantation and Thermal Annealing
Lomov A., Myakonkikh A., Chesnokov Y.
Том 45, № 8-9 (2016) High efficiency photoelectrodes based on porous silicon
Tynyshtykbayev K., Glazman V., Muratov D., Rakhmetov B., Tokmoldin N., Tokmoldin S.
Том 48, № 7 (2019) Histogram Measurement of ADC Nonlinearities by Using Incomplete-Scale Sine Waves
Rybakov A., Reznichenko N.
Том 48, № 1 (2019) Identification and Excitation Mechanisms of the Lines and Bands of Boron-Containing Components in the Optical Emission Spectra of Low-Temperature BF3/Ar Plasmas
Kudrya V.
Том 47, № 5 (2018) Implementation of a Two-Qubit C-NOT Quantum Gate in a System of Two Double Quantum Dots, a Microcavity, and a Laser
Tsukanov A., Chekmachev V.
Том 45, № 7 (2016) Implementation of fast high-order digital filters based on new-generation FPGAs
Krylikov N., Morozov L., Plavich M.
Том 45, № 6 (2016) Influence of external conditions on physical processes and plasma parameters in a model of a high-frequency hybrid plasma system
Aleksandrov A., Petrov A., Vavilin K., Kral’kina E., Neklyudova P., Nikonov A., Pavlov V., Airapetov A., Odinokov V., Pavlov G., Sologub V.
Том 47, № 7 (2018) Influence of External Microwave Fields on the Characteristics of a Square-Pulse RC-Generator
Usanov D., Merdanov M., Skripal A., Zotov R., Korotin B., Ponomarev D.
Том 46, № 8 (2017) Influence of Extrusion Temperature on the Formation of a Bi0.5Sb1.5Te3 Structure of p-Type Conductivity
Tarasova I., Bublik V.
Том 45, № 1 (2016) Influence of ionizing radiation on the parameters of an operational amplifier based on complementary bipolar transistors
Dvornikov O., Tchekhovski V., Dziatlau V., Prokopenko N.
Том 48, № 2 (2019) Influence of Pulsed Laser Deposition Modes on Properties of Nanocrystalline LiNbO3 Films
Vakulov Z., Varzarev Y., Gusev E., Skrylev A., Panich A., Miakonkikh A., Klemente I., Rudenko K., Konoplev B., Ageev O.
Том 46, № 7 (2017) Influence of Superexchange Interaction on the Ferromagnetic Properties of Manganites and Cobaltites
Troyanchuk I., Karpinsky D., Silibin M., Nekludov K., Gavrilov S.
Том 47, № 2 (2018) Influence of Technological Modes on the Electrophysical Properties of Films of Polyacrylonitrile Doped with Metal Particles
Bednaya T., Konovalenko S.
Том 45, № 1 (2016) Influence of the annealing temperature on the ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate
Golosov D., Zavadski S., Kolos V., Turtsevich A., Okodzhi D.
Том 47, № 7 (2018) Influence of the Parameters of Schottky Barriers of AlGaN/GaN/SiC HEMT Transistors on the Phase Noise of Microwave Generators
Gruzdov V., Enisherlova K., Kolkovsky Y., Davydov N., Kapilin S.
126 - 150 из 331 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».