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Volume 50, Nº 2 (2016)
Photoluminescence properties of thallium-containing GeSe2 and GeSe3 vitreous semiconductors
Babaev A.
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Volume 52, Nº 11 (2018)
Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation
Khananova A., Obolensky S.
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(Eng)
Volume 50, Nº 3 (2016)
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm)
Nadtochiy A., Shchukin V., Cherkashin N., Denneulin T., Zhukov A., Maximov M., Gordeev N., Payusov A., Kulagina M., Shernyakov Y., Ledentsov N.
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(Eng)
Volume 52, Nº 11 (2018)
MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Alexeev P., Cirlin G., Reznik R., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Lebedev S., Lebedev A., Kirilenko D.
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(Eng)
Volume 53, Nº 10 (2019)
On the Asymmetric Generation of a Superradiant Laser with a Symmetric Low-Q Cavity
Kocharovsky V., Kukushkin V., Tarasov S., Kocharovskaya E., Kocharovsky V.
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(Eng)
Volume 52, Nº 10 (2018)
Determining the Hydrogen Concentration from the Photovoltage of Pd–Oxide–InP MIS Structures
Grebenshchikova E., Salikhov K., Sidorov V., Shutaev V., Yakovlev Y.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Critical Radius of Full Depletion in Semiconductor Nanowires Caused by Surface Charge Trapping
Petrosyan S., Yesayan A., Nersesyan S., Khachatryan V.
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(Eng)
Volume 52, Nº 10 (2018)
Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Makarov A., Tyaginov S., Kaczer B., Jech M., Chasin A., Grill A., Hellings G., Vexler M., Linten D., Grasser T.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction
Yajie Li , Wang P., Meng F., Yu H., Zhou X., Wang H., Pan J.
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(Eng)
Volume 50, Nº 13 (2016)
Measurements of electrophysical characteristics of semiconductor structures with the use of microwave photonic crystals
Usanov D., Nikitov S., Skripal A., Ponomarev D., Latysheva E.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Sokolova Z., Bakhvalov K., Lyutetskiy A., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
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(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Measuring the Effective Masses of the Electrical Conductivity and Density of States by Contactless Microwave Means
Usanov D., Postelga A., Gurov K.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Charge transfer in rectifying oxide heterostructures and oxide access elements in ReRAM
Stefanovich G., Pergament A., Boriskov P., Kuroptev V., Stefanovich T.
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(Eng)
Volume 52, Nº 12 (2018)
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate
Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Morozov A., Karakolis P., Dimitrakis P.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons
Kumekov S., Mustafin A., Mussatay S.
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