🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Список статей

Выпуск Название Файл
Том 45, № 7 (2016) 320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
Belin A., Zolotarev V., Nikiforov A., Popov A.
Том 45, № 7 (2016) A method for calculating the thermal characteristics of silicon TVS-diodes in the pulse mode
Grigoriev F., Aleksandrova A., Gafurov V.
Том 45, № 4 (2016) A method for registration of multiple cell upsets in high capacity memory cells induced by single nuclear particles
Boruzdina A., Ulanova A., Chumakov A., Yanenko A.
Том 47, № 7 (2018) A Method for the Development of Indicators of a Transient Period Based on Short-Pulse Shapers in Asynchronous Adders
Starykh A., Kovalev A.
Том 48, № 5 (2019) A New Voltage Level Shifter For Low-Power Applications
Shubin V.
Том 45, № 3 (2016) A nonlinear microwave model of a low-barrier diode based on semiconductor junctions
Arykov V., Yunusov I., Kagadei V., Fazleeva A.
Том 48, № 6 (2019) A Novel Parameter Identification Approach for C–V–T Characteristics of Multi-Quantum Wells Schottky Diode Using Ant Lion Optimizer
Filali W., Garoudja E., Oussalah S., Mekheldi M., Sengouga N., Henini M.
Том 45, № 8-9 (2016) A study of magnetic and electronic hyperfine interactions in epitaxial film of yttrium-iron garnet by the method of conversion electron Mössbauer spectroscopy
Moklyak V.
Том 48, № 7 (2019) A study of the Composition of Tellurium Vapor by the Static Method
Vigdorovich E.
Том 47, № 1 (2018) A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
Bibilo P., Avdeev N., Kardash S., Kirienko N., Lankevich Y., Loginova I., Romanov V., Cheremisinov D., Cheremisinova L.
Том 46, № 4 (2017) A technique for the local doping and correction of the conductivity of PbSnTe epitaxial layers via indium diffusion from superficial nanometer-thick films
Ishchenko D., Kuchumov B.
Том 47, № 4 (2018) A Thin-Film Platform for Chemical Gas Sensors
Roslyakov I., Napolskii K., Stolyarov V., Karpov E., Ivashev A., Surtaev V.
Том 45, № 2 (2016) A universal digital platform for the construction of self-organizing wireless sensor networks for industrial safety and ecological monitoring systems
Sukhanov A., Prokof’ev I., Ivanov A.
Том 48, № 7 (2019) Absorbing Elements Based on a Uniform Resistive Film for the Implementation of a Wide Range of Radio Signal Power Attenuations
Sadkov V., Fomina K., Pil’kevich A.
Том 46, № 1 (2017) Alloying carbon nanotubes
Saurov A., Bulyarskii S.
Том 47, № 7 (2018) An Integrated High-Capacitance Varicap Based on Porous Silicon
Timoshenkov S., Boyko A., Gaev D., Kalmykov R.
Том 46, № 7 (2017) Analysis and Simulation of Vertical Complementary Silicon Bipolar Transistors
Hrapov M., Gridchin V., Kalinin S.
Том 45, № 3 (2016) Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS transducers
Parfenov N.
Том 47, № 5 (2018) Analytic Model of Transit-Time Diodes and Transistors for the Generation and Detection of THz Radiation
Vyurkov V., Khabutdinov R., Nemtsov A., Semenikhin I., Rudenko M., Rudenko K., Lukichev V.
Том 47, № 7 (2018) Analyzing the Influence of Temperature on the Electrophysical Characteristics of a Complementary Pair of Vertical Bipolar Transistors
Hrapov M., Gluhov A., Gridchin V., Kalinin S.
Том 46, № 8 (2017) Application of Radioactive Isotopes for Beta-Voltaic Generators
Bykov A., Polisan A., Chichkov M., Temirov A., Zhukov R., Ksenich S., Kiselev D., Kislyuk A., Kubasov I., Malinkovich M., Parkhomenko Y.
Том 46, № 7 (2017) Application of Two-Wavelength X-Ray Optical Scheme for Combined Measurements of X-Ray Specular Reflection and Diffuse Scattering to Study Multilayered Thin Film Structures
Smirnov D., Gerasimenko N., Ovchinnikov V.
Том 47, № 5 (2018) Applications of the Technology of Fast Neutral Particle Beams in Micro- and Nanoelectronics
Kudrya V., Maishev Y.
Том 47, № 1 (2018) Atomic Layer Deposition in the Production of a Gate HkMG Stack Structure with a Minimum Topological Size of 32 nm
Rudenko K., Myakon’kikh A., Rogozhin A., Gushchin O., Gvozdev V.
Том 47, № 2 (2018) Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Tris(diethylamido)aluminum and Hydrazine or Ammonia
Abdulagatov A., Ramazanov S., Dallaev R., Murliev E., Palchaev D., Rabadanov M., Abdulagatov I.
1 - 25 из 331 результатов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».