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Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers
Mokhov D., Berezovskaya T., Nikitina E., Shubina K., Mizerov A., Bouravleuv A.
Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN?
Titov A., Karabeshkin K., Karaseov P., Struchkov A.
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Sakharov A., Kaliteevskii M., Voznyuk G., Levitskii I., Mitrofanov M., Tsatsulnikov A., Lundin W., Rodin S., Usov S., Evtikhiev V.
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
Lundin W., Tsatsulnikov A., Rodin S., Sakharov A., Mitrofanov M., Levitskii I., Voznyuk G., Evtikhiev V.
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
Etching of Disc and Ring Patterns in Si3N4/GaN Structure by Ga+ FIB
Mitrofanov M., Voznyuk G., Rodin S., Lundin W., Evtikhiev V., Tsatsulnikov A.
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
The Cavity-Effect in Site-Controlled GaN Nanocolumns with InGaN Insertions
Kazanov D., Evropeytsev E., Shubina T.
Template Synthesis of Monodisperse Spherical Nanocomposite SiO2/GaN:Eu3+ Particles
Stovpiaga E., Eurov D., Kurdyukov D., Smirnov A., Yagovkina M., Yakovlev D., Golubev V.
Luminescence Line Broadening Caused by Alloy Disorder in InGaN Quantum Wells
Arteev D., Sakharov A., Lundin W., Zavarin E., Zakheim D., Tsatsulnikov A.
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