Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 6 (2019) Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer
Banshchikov A., Illarionov Y., Vexler M., Wachter S., Sokolov N.
Том 53, № 9 (2019) Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition
Shengurov V., Filatov D., Denisov S., Chalkov V., Alyabina N., Zaitsev A.
Том 52, № 6 (2018) Tunneling Current in Oppositely Connected Schottky Diodes Formed by Contacts between Degenerate n-GaN and a Metal
Maiboroda I., Grishchenko J., Ezubchenko I., Sokolov I., Chernych I., Andreev A., Zanaveskin M.
Том 53, № 16 (2019) Two Dimensional Bright and Dark Magnetoexcitons Interacting with Quantum Point Vortices
Moskalenko S., Moskalenko V., Podlesny I., Zubac I.
Том 52, № 16 (2018) Two Methods of Calculation Ternary Nanowire Composition
Sibirev N., Koryakin A., Berdnikov Y.
Том 50, № 3 (2016) Two Stages of Surface-Defect Formation in a MOS Structure under Low-Dose Rate Gamma Irradiation
Popov V.
Том 52, № 1 (2018) Two-Terminal Tandem Solar Cells DSC/c-Si: Optimization of TiO2-based Photoelectrode Parameters
Nikolskaia A., Vildanova M., Kozlov S., Shevaleevskiy O.
Том 51, № 1 (2017) Two-tone nonlinear electrostatic waves in the quantum electron–hole plasma of semiconductors
Dubinov A., Kitayev I.
Том 53, № 5 (2019) Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates
Abramkin D., Shamirzaev T.
Том 52, № 7 (2018) Ultrafast Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As Superlattices under Femtosecond Laser Excitation
Ponomarev D., Khabibullin R., Klochkov A., Yachmenev A., Bugaev A., Khusyainov D., Buriakov A., Bilyk V., Mishina E.
Том 52, № 1 (2018) Ultrafast Dynamics of Photoinduced Electron–Hole Plasma in Semiconductor Nanowires
Trukhin V., Bouravleuv A., Mustafin I., Cirlin G., Kakko J., Lipsanen H.
Том 53, № 16 (2019) Ultrasonic-Assisted Exfoliation of Graphitic Carbon Nitride and its Electrocatalytic Performance in Process of Ethanol Reforming
Chebanenko M., Zakharova N., Lobinsky A., Popkov V.
Том 52, № 14 (2018) Ultrathin Barrier InAlN/GaN Heterostructures for HEMTs
Sakharov A., Kurbanova N., Demchenko O., Sim P., Yagovkina M., Tsatsulnikov A., Usov S., Zakheim D., Zavarin E., Lundin W., Velikovskiy L.
Том 53, № 6 (2019) Urbach Rule in MnGa2Se4 Single Crystals Upon Optical Absorption
Niftiyev N.
Том 52, № 2 (2018) Use of the Atomic Structure of Silicon Crystals to Obtain Multi-Tip Field-Emission Sources of Electrons
Yafarov R.
Том 52, № 15 (2018) Using Combined Optical Techniques to Control the Shallow Etching Process
Volokhovskiy A., Gerasimenko N., Petrakov D.
Том 51, № 7 (2017) Utilizing nanotechnology and novel materials and concepts for advanced thermoelectric and thermal management technology development
Mori T.
Том 50, № 10 (2016) UV and IR emission intensity in ZnO films, nanorods, and bulk single crystals doped with Er and additionally introduced impurities
Mezdrogina M., Vinogradov A., Kuzmin R., Levitski V., Kozanova Y., Lyanguzov N., Chukichev M.
Том 51, № 3 (2017) Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents
Bloshkin A., Yakimov A., Timofeev V., Tuktamyshev A., Nikiforov A., Murashov V.
Том 52, № 6 (2018) Variation in the Conductivity of Polyaniline Nanotubes During Their Formation
Kapralova V., Sapurina I., Sudar’ N.
Том 53, № 5 (2019) Variation in the State of 119mSn Impurity Atoms in PbTe during the Establishment of the Radioactive Equilibrium of 119mTe/119Sb Isotopes
Seregin P., Marchenko A., Nasredinov F., Zharkoy A.
Том 51, № 7 (2017) Varistor effect in highly heterogeneous polymer–ZnO systems
Kurbanov M., Ahadzade S., Ramazanova I., Dadashov Z., Faradzhzade I.
Том 52, № 11 (2018) Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut
Drozdov Y., Khrikin O., Yunin P.
Том 53, № 10 (2019) Vertical Field-Effect Transistor with a Controlling GaAs-Based p–n Junction
Vostokov N., Daniltsev V., Kraev S., Krukov V., Skorokhodov E., Strelchenko S., Shashkin V.
Том 50, № 1 (2016) Vertical heterostructures based on graphene and other 2D materials
Antonova I.
1401 - 1425 из 1443 результатов << < 52 53 54 55 56 57 58 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».