Physics of Semiconductor Devices

Выпуск Название Файл
Том 52, № 13 (2018) AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation PDF
(Eng)
Khvostikov V., Kalinovskiy V., Sorokina S., Shvarts M., Potapovich N., Khvostikova O., Vlasov A., Andreev V.
Том 52, № 13 (2018) Radiation-Induced Damage of Silicon-Carbide Diodes by High-Energy Particles PDF
(Eng)
Strel’chuk A., Kozlovski V., Lebedev A.
Том 52, № 12 (2018) Violation of Local Electroneutrality in the Quantum Well of a Semiconductor Laser with Asymmetric Barrier Layers PDF
(Eng)
Asryan L., Zubov F., BalezinaPolubavkina Y., Moiseev E., Muretova M., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A.
Том 52, № 12 (2018) Avalanche Breakdown Stability of High Voltage (1430 V) 4H-SiC p+–n0–n+ Diodes PDF
(Eng)
Ivanov P., Samsonova T., Potapov A.
Том 52, № 12 (2018) Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects PDF
(Eng)
Kozlovski V., Lebedev A., Davydovskaya K., Lyubimova Y.
Том 52, № 10 (2018) Specific Features of the IR Reflectance and Raman Spectra of Sb2Te3 – xSex Crystals PDF
(Eng)
Nemov S., Andreeva V., Ulashkevich Y., Povolotsky A., Allahkhah A.
Том 52, № 10 (2018) Impact of the Periphery Electrostatic Field on the Photovoltaic Effect in Metal–Semiconductor Contacts with a Schottky Barrier PDF
(Eng)
Torkhov N.
Том 52, № 10 (2018) Luminescence Spectra of High-Power Violet and Ultraviolet Gallium Nitride-Based LEDs PDF
(Eng)
Volkov V., Kogan L., Turkin A., Yunovich A.
Том 52, № 10 (2018) Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs PDF
(Eng)
Makarov A., Tyaginov S., Kaczer B., Jech M., Chasin A., Grill A., Hellings G., Vexler M., Linten D., Grasser T.
Том 52, № 10 (2018) Determining the Hydrogen Concentration from the Photovoltage of Pd–Oxide–InP MIS Structures PDF
(Eng)
Grebenshchikova E., Salikhov K., Sidorov V., Shutaev V., Yakovlev Y.
Том 52, № 10 (2018) Effect of Low-Dose Proton Irradiation on the Electrical Characteristics of 4H-SiC Junction Diodes PDF
(Eng)
Ivanov P., Potapov A., Kudoyarov M., Samsonova T.
Том 52, № 10 (2018) Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates PDF
(Eng)
Maximov M., Nadtochiy A., Shernyakov Y., Payusov A., Vasil’ev A., Ustinov V., Serin A., Gordeev N., Zhukov A.
Том 52, № 9 (2018) Backward-Diode Heterostructure Based on a Zinc-Oxide Nanoarray Formed by Pulsed Electrodeposition and a Cooper-Iodide Film Grown by the SILAR Method PDF
(Eng)
Klochko N., Kopach V., Khrypunov G., Korsun V., Lyubov V., Zhadan D., Otchenashko A., Kirichenko M., Khrypunov M.
Том 52, № 9 (2018) GaSb/GaAlAsSb Heterostructure Photodiodes for the Near-IR Spectral Range PDF
(Eng)
Kunitsyna E., Andreev I., Konovalov G., Ivanov E., Pivovarova A., Il’inskaya N., Yakovlev Y.
Том 52, № 9 (2018) Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells PDF
(Eng)
Dubinov A., Aleshkin V., Morozov S.
Том 52, № 8 (2018) Modulation of the Charge of Germanium MIS Structures with Fluorine-Containing Insulators PDF
(Eng)
Shalimova M.
Том 52, № 8 (2018) Effect of Deep Centers on the Statistical Delay of Microplasma Breakdown in Gallium-Arsenide Light-Emitting Diodes PDF
(Eng)
Ionychev V., Shesterkina A.
Том 52, № 8 (2018) On the Fabrication of Graphene p–n Junctions and Their Application for Detecting Terahertz Radiation PDF
(Eng)
Vasileva G., Vasilyev Y., Novikov S., Danilov S., Ganichev S.
Том 52, № 8 (2018) Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 μm Wavelength PDF
(Eng)
Babichev A., Gladyshev A., Kurochkin A., Kolodeznyi E., Sokolovskii G., Bougrov V., Karachinsky L., Novikov I., Bousseksou A., Egorov A.
Том 52, № 7 (2018) Investigation of the Characteristics of Heterojunction Solar Cells Based on Thin Single-Crystal Silicon Wafers PDF
(Eng)
Terukov E., Abramov A., Andronikov D., Emtsev K., Panaiotti I., Titov A., Shelopin G.
Том 52, № 7 (2018) Effect of Deep Centers on Charge-Carrier Confinement in InGaN/GaN Quantum Wells and on LED Efficiency PDF
(Eng)
Bochkareva N., Shreter Y.
Том 52, № 7 (2018) Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System PDF
(Eng)
Emtsev V., Gushchina E., Petrov V., Tal’nishnih N., Chernyakov A., Shabunina E., Shmidt N., Usikov A., Kartashova A., Zybin A., Kozlovski V., Kudoyarov M., Saharov A., Oganesyan A., Poloskin D., Lundin V.
Том 52, № 7 (2018) Study of Deep Levels in a HIT Solar Cell PDF
(Eng)
Shilina D., Litvinov V., Maslov A., Mishustin V., Terukov E., Titov A., Vikhrov S., Vishnyakov N., Gudzev V., Ermachikhin A.
Том 52, № 6 (2018) High-Sensitivity Photodetector Based on Atomically Thin MoS2 PDF
(Eng)
Lavrov S., Shestakova A., Mishina E., Efimenkov Y., Sigov A.
Том 52, № 6 (2018) Tunneling Current in Oppositely Connected Schottky Diodes Formed by Contacts between Degenerate n-GaN and a Metal PDF
(Eng)
Maiboroda I., Grishchenko J., Ezubchenko I., Sokolov I., Chernych I., Andreev A., Zanaveskin M.
51 - 75 из 198 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».