检索

标题
作者
Exposure kinetics of a positive photoresist layer on an optically matched substrate
Kudrya V.
Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
Rogozhin A., Sidorov F.
Study of the Photovoltaic Parameters of Inorganic Solar Cells Based on Cu2O and CuO
Saenko A., Bilyk G., Smirnov V.
Simulation of a System of Nanoantennas Located in a TSV Channel as a System for Receiving and Transmitting Data
Serov D., Khorin I.
Simulation of silicon conical field effect GAA nanotransistors with stack SiO2/HfO2 dielectric of gate
Masalsky N.
Patterns of the Formation of Mobile Localized Magnetic Configurations and Technology for Manufacturing Structures for the Implementation of Magnetic Memory Elements
Prokaznikov A., Paporkov V., Chirikov V., Evseeva N.
Thermal modelling and layout optimization of GaN half-bridge IC with integrated drivers and power HEMTs
Kagadey V., Kodorova I., Polyntsev E.
A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure
Sirotkin V.
Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology
Bityukov V., Lavrenov A.
Simulation of Silicon FETs with a Fully Enclosed Gate with a High-k Gate Dielectric
Masalskii N.
Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF4 + H2 + Ar: Effect of the CF4/H2 Ratio
Miakonkikh A., Kuzmenko V., Efremov A., Rudenko K.
Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2
Asadov M., Mustafaeva S., Guseinova S., Lukichev V.
Modeling of the Electronic Properties of M-Doped Supercells (М = Zr, Nb) with a Monoclinic Structure For Lithium-Ion Batteries
Asadov M., Mammadova S., Mustafaeva S., Huseynova S., Lukichev V.
Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF6 Plasma
Myakonkikh A., Kuzmenko V., Efremov A., Rudenko K.
Prototypes of devices for heterogeneous hybrid semiconductor electronics with an embedded biomolecular domain
Baranov M., Karseeva E., Tsybin O.
Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor
Novoselov А., Gusev М., Masalsky N.
Influence of Hot Carrier Degradation on the Characteristics of a High-Voltage SOI Transistor with a Large Drift Region
Novoselov A., Masalskii N.
1 - 17 的 17 信息

检索提示:

  • 检索的名词区分大小写
  • 常用字词将被忽略
  • 默认情况下只有在查询结果满足所有检索词才返回(例如,隐含AND)
  • 使用OR结合多个检索词,便于查找含有这些检索词的文章,例如education OR research
  • 使用括号来创建更复杂的查询; 例如:archive ((journal OR conference) NOT theses)
  • 使用引号检索一个完整的词组; 例如: "open access publishing"
  • 使用-或者NOT排除一个检索词; 例如:online -politics or online NOT politics
  • 在检索词里使用 *作为通配符匹配任何字符序列; 例如., soci* morality 将符合含有 "sociological" or "societal"的词语

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».