Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Sobolev, N.
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Volume 50, Nº 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Volume 50, Nº 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties
Volume 50, Nº 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated
p
-Si
Volume 51, Nº 5 (2017)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Injection-induced terahertz electroluminescence from silicon
p–n
structures
Volume 51, Nº 9 (2017)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
Volume 53, Nº 2 (2019)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions
Volume 53, Nº 2 (2019)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions
Volume 53, Nº 4 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film
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