Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Sobolev, N.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated
p
-Si
Том 51, № 5 (2017)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Injection-induced terahertz electroluminescence from silicon
p–n
structures
Том 51, № 9 (2017)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
Том 53, № 2 (2019)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions
Том 53, № 2 (2019)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions
Том 53, № 4 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP