Іздеу

Шығарылым
Атауы
Авторлар
Том 53, № 15 (2019)
Predicting the Conditions for the Vapor-Phase Epitaxy of the III–V Compounds
Vigdorovich E.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Template Synthesis of Monodisperse Spherical Nanocomposite SiO2/GaN:Eu3+ Particles
Stovpiaga E., Eurov D., Kurdyukov D., Smirnov A., Yagovkina M., Yakovlev D., Golubev V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
On the laser detachment of n-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in n+-GaN substrates
Virko M., Kogotkov V., Leonidov A., Voronenkov V., Rebane Y., Zubrilov A., Gorbunov R., Latyshev P., Bochkareva N., Lelikov Y., Tarhin D., Smirnov A., Davydov V., Shreter Y.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Mizerov A., Arsentyev I., Leiste H., Rinke M.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides
Borisenko S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
Uvarov A., Zelentsov K., Gudovskikh A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
The Effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Antonov I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Korolev D., Mikhaylov A., Belov A., Vasiliev V., Guseinov D., Okulich E., Shemukhin A., Surodin S., Nikolitchev D., Nezhdanov A., Pirogov A., Pavlov D., Tetelbaum D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Investigation of the Current–Voltage Characteristics of New MnO2/GaAs(100) and V2O5/GaAs(100) Heterostructures Subjected to Heat Treatment
Sladkopevtsev B., Kotov G., Arsentyev I., Shashkin I., Mittova I., Tomina E., Samsonov A., Kostenko P.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Raman Spectra of Thick Epitaxial GaN Layers Formed on SiC by the Sublimation Sandwich Method
Anisimov A., Wolfson A., Mokhov E.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Halogen adsorption at an As-stabilized β2–GaAs (001)–(2 × 4) surface
Bakulin A., Kulkova S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Microstructural Evolution of MOVPE Grown GaN by the Carrier Gas
Demir I., Altuntas I., Kasapoğlu A., Mobtakeri S., Gür E., Elagoz S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 15 (2018)
Studying the Effect of Electrically Active Impurities Coming from Trimethylgallium Synthesized by Different Means on the Electrophysical Characteristics of Gallium Arsenide Epitaxial Layers
Revin M., Kotkov A., Ivanov V., Rad’kov Y., Svinkov N., Artemov A., Gribov B.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Study of the structure and composition of the strained epitaxial layer in the InAlAs/GaAs(100) heterostructure by transmission electron microscopy
Lovygin M., Borgardt N., Bugaev A., Volkov R., Seibt M.
PDF
(Eng)
Том 52, № 15 (2018)
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy
Levin R., Vlasov A., Smirnov A., Pushnyi B.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut
Drozdov Y., Khrikin O., Yunin P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells
Nikitina E., Gudovskikh A., Lazarenko A., Pirogov E., Sobolev M., Zelentsov K., Morozov I., Egorov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
High-Voltage AlInGaN LED Chips
Markov L., Kukushkin M., Pavlyuchenko A., Smirnova I., Itkinson G., Osipov O.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Plasma Chemical Etching of Gallium Arsenide in C2F5Cl-Based Inductively Coupled Plasma
Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M., Kraev S., Skorokhodov E., Shashkin V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy
Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Нәтижелер 22 - 1/22
Сыбырсөздер:
  • Негізгі сөздер тіркелімге сезімтал< / li>
  • Ағылшын предлогтары мен одақтары еленбейді
  • Әдепкі бойынша іздеу барлық негізгі сөздер үшін жасалады (агенс AND экспериенцер)
  • Белгілі бір терминді табу үшін OR қолданыңыз. білім беру OR оқыту
  • мысалы, күрделі сөз тіркестерін жасау үшін жақшаларды қолданыңыз. мұрағат ((журналдар OR конференциялар) NOT диссертациялар)
  • Нақты фразаны табу үшін, мысалы, тырнақшаларды қолданыңыз. "ғылыми зерттеулер"
  • сөзді - (сызықша) немесе not операторының көмегімен алып тастаңыз; мысалы. сұлулық байқауы< / em > немесе сұлулық байқауы< / em > < / li>
  • мысалы, нұсқа ретінде * қолданыңыз. ғылым* "ғылыми","ғылыми"және т. б. сөздерді қамтиды< / li> < / < / к-сі>

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>