English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
Бастапқы > Мұрағат

Мұрағат

Жылы Шығарылымдар
2019
  • Том 53, № 16
  • Том 53, № 15
  • Том 53, № 14
  • Том 53, № 13
  • Том 53, № 12
  • Том 53, № 11
  • Том 53, № 10
  • Том 53, № 9
  • Том 53, № 8
  • Том 53, № 7
  • Том 53, № 6
  • Том 53, № 5
  • Том 53, № 4
  • Том 53, № 3
  • Том 53, № 2
  • Том 53, № 1
2018
  • Том 52, № 16
  • Том 52, № 15
  • Том 52, № 14
  • Том 52, № 13
  • Том 52, № 12
  • Том 52, № 11
  • Том 52, № 10
  • Том 52, № 9
  • Том 52, № 8
  • Том 52, № 7
  • Том 52, № 6
  • Том 52, № 5
  • Том 52, № 4
  • Том 52, № 3
  • Том 52, № 2
  • Том 52, № 1
2017
  • Том 51, № 13
  • Том 51, № 12
  • Том 51, № 11
  • Том 51, № 10
  • Том 51, № 9
  • Том 51, № 8
  • Том 51, № 7
  • Том 51, № 6
  • Том 51, № 5
  • Том 51, № 4
  • Том 51, № 3
  • Том 51, № 2
  • Том 51, № 1
2016
  • Том 50, № 13
  • Том 50, № 12
  • Том 50, № 11
  • Том 50, № 10
  • Том 50, № 9
  • Том 50, № 8
  • Том 50, № 7
  • Том 50, № 6
  • Том 50, № 5
  • Том 50, № 4
  • Том 50, № 3
  • Том 50, № 2
  • Том 50, № 1

    
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP