Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 53, № 12 (2019)
Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions
Okulich E., Okulich V., Tetelbaum D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching
Levitskii Y., Mitrofanov M., Voznyuk G., Nikolayev D., Mizerov M., Evtikhiev V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions
Cherkova S., Skuratov V., Volodin V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Simulation of the Formation of a Cascade of Displacements and Transient Ionization Processes in Silicon Semiconductor Structures under Neutron Exposure
Zabavichev I., Potehin A., Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures
Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects
Kozlovski V., Lebedev A., Davydovskaya K., Lyubimova Y.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers
Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S., Kadykov A., Fadeev M., Hübers H., Gavrilenko V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Sakharov A., Kaliteevskii M., Voznyuk G., Levitskii I., Mitrofanov M., Tsatsulnikov A., Lundin W., Rodin S., Usov S., Evtikhiev V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Superficial Defect Formation in CdTe under the Radiation Effect of a CO2 Laser
Shkumbatjuk P.
PDF
(Eng)
1 - 10 из 10 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».