Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The ion-beam etching of AlGaAs/GaAs heterostructures gives rise to radiation defects and, as a result, leads to photoluminescence quenching. Annealing at 620°C in an atmosphere of As almost completely restores the quantum efficiency of photoluminescence in the case of radiation-induced defects lying at a distance of up to 150 nm from the heterointerface.

Авторлар туралы

Ya. Levitskii

Ioffe Institute

Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

M. Mitrofanov

Ioffe Institute

Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

G. Voznyuk

Ioffe Institute

Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

D. Nikolayev

Ioffe Institute

Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

M. Mizerov

Ioffe Institute

Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

V. Evtikhiev

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019