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Pesquisa

Edição
Título
Autores
Volume 53, Nº 14 (2019)
Arsenic Diffusion in the Natural Oxidation of the Heavily Defected GaAs Surface
Mikoushkin V., Solonitsyna A., Makarevskaya E., Novikov D.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Sokolova Z., Bakhvalov K., Lyutetskiy A., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons
Kumekov S., Mustafin A., Mussatay S.
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(Eng)
Volume 50, Nº 2 (2016)
Halogen adsorption at an As-stabilized β2–GaAs (001)–(2 × 4) surface
Bakulin A., Kulkova S.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
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(Eng)
Volume 52, Nº 12 (2018)
Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Alekseev P., Dunaevskiy M., Mikhailov A., Lebedev S., Lebedev A., Ilkiv I., Khrebtov A., Bouravleuv A., Cirlin G.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Zhukov A., Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kaliteevski M., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Alferov Z.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides
Borisenko S.
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(Eng)
Volume 53, Nº 11 (2019)
On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates
Seredin P., Fedyukin A., Terekhov V., Barkov K., Arsentyev I., Bondarev A., Fomin E., Pikhtin N.
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(Eng)
Volume 52, Nº 12 (2018)
Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells
Nikitina E., Gudovskikh A., Lazarenko A., Pirogov E., Sobolev M., Zelentsov K., Morozov I., Egorov A.
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(Eng)
Volume 50, Nº 3 (2016)
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
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(Eng)
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