Physics of Semiconductor Devices

Выпуск Название Файл
Том 50, № 5 (2016) Radiation-stimulated processes in transistor temperature sensors PDF
(Eng)
Pavlyk B., Grypa A.
Том 50, № 4 (2016) Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells PDF
(Eng)
Sachenko A., Skrebtii A., Korkishko R., Kostylyov V., Kulish N., Sokolovskyi I.
Том 50, № 4 (2016) On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix a-SiOx:H (0 < x < 2) with time-modulated dc magnetron plasma PDF
(Eng)
Undalov Y., Terukov E., Gusev O., Trapeznikova I.
Том 50, № 4 (2016) Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells PDF
(Eng)
Kosyachenko L., Lytvynenko V., Maslyanchuk O.
Том 50, № 4 (2016) Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates PDF
(Eng)
Mintairov S., Emelyanov V., Rybalchenko D., Salii R., Timoshina N., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 50, № 3 (2016) Model Development for Current–Voltage and Transconductance Characteristics of Normally-off AlN/GaN MOSHEMT PDF
(Eng)
Swain R., Jena K., Lenka T.
Том 50, № 3 (2016) Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range PDF
(Eng)
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
Том 50, № 3 (2016) High-Power Thyristor Switching via an Overvoltage Pulse with Nanosecond Rise Time PDF
(Eng)
Gusev A., Lyubutin S., Rukin S., Tsyranov S.
Том 50, № 3 (2016) High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base PDF
(Eng)
Levinshtein M., Mnatsakanov T., Yurkov S., Tandoev A., Ryu S., Palmour J.
Том 50, № 2 (2016) Laser-assisted simulation of transient radiation effects in heterostructure components based on AIIIBV semiconductor compounds PDF
(Eng)
Gromov D., Maltsev P., Polevich S.
Том 50, № 2 (2016) Pb1–xEuxTe alloys (0 ⩽ x ⩽ 1) as materials for vertical-cavity surface-emitting lasers in the mid-infrared spectral range of 4–5 μm PDF
(Eng)
Pashkeev D., Selivanov Y., Chizhevskii E., Zasavitskiy I.
Том 50, № 2 (2016) Field-effect transistor with 2D carrier systems in the gate and channel PDF
(Eng)
Popov V.
Том 50, № 2 (2016) Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence PDF
(Eng)
Sobolev N., Kalyadin A., Konovalov M., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Shtel’makh K., Mikhaylov A., Tetel’baum D.
Том 50, № 2 (2016) Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation PDF
(Eng)
Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Y., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V.
Том 50, № 2 (2016) Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties PDF
(Eng)
Kalyadin A., Sobolev N., Strel’chuk A., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E.
Том 50, № 2 (2016) Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated p-Si PDF
(Eng)
Sobolev N., Shtel’makh K., Kalyadin A., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Yang D.
Том 50, № 2 (2016) Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon PDF
(Eng)
Kryuchenko Y., Kostylyov V., Sokolovskyi I., Abramov A., Bobyl A., Panaiotti I., Terukov E., Sachenko A.
Том 50, № 1 (2016) Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm PDF
(Eng)
Emelyanov V., Mintairov S., Sorokina S., Khvostikov V., Shvarts M.
Том 50, № 1 (2016) Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters PDF
(Eng)
Emelyanov V., Sorokina S., Khvostikov V., Shvarts M.
Том 50, № 1 (2016) Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide PDF
(Eng)
Mikhaylov A., Afanasyev A., Ilyin V., Luchinin V., Sledziewski T., Reshanov S., Schöner A., Krieger M.
Том 50, № 1 (2016) Photodetectors based on CuInS2 PDF
(Eng)
Vostretsova L., Gavrilov S., Bulyarsky S.
Том 50, № 1 (2016) Mechanisms of the degradation of Schottky-barrier photodiodes based on ZnS single crystals PDF
(Eng)
Korsunska N., Shulga E., Stara T., Litvin P., Bondarenko V.
Том 50, № 1 (2016) Organic light-emitting diodes based on a series of new polythienothiophene complexes and highly luminescent quantum dots PDF
(Eng)
Vashchenko A., Goriachiy D., Vitukhnovsky A., Tananaev P., Vasnev V., Rodlovskaya E.
176 - 198 из 198 результатов << < 3 4 5 6 7 8 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».