Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 45, № 3 (2016)
Detection of terahertz radiation by resonant tunneling nanoheterostructures
Egorkin V., Kapaev V.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
A universal digital platform for the construction of self-organizing wireless sensor networks for industrial safety and ecological monitoring systems
Sukhanov A., Prokof’ev I., Ivanov A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
The circuit and functional blocks for radiation-hard transceiver LSICs in SOI CMOS
Nazarova G., Elesin V., Nikiforov A., Kuznetsov A., Usachev N., Amburkin D.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
A nonlinear microwave model of a low-barrier diode based on semiconductor junctions
Arykov V., Yunusov I., Kagadei V., Fazleeva A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
Designing gallium nitride-based monolithic microwave integrated circuits for the Ka, V, and W bands
Fedorov Y., Gnatyuk D., Bugaev A., Matveenko O., Galiev R., Zuev A., Pavlov A., Mikhailovich S.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
Influence of ionizing radiation on the parameters of an operational amplifier based on complementary bipolar transistors
Dvornikov O., Tchekhovski V., Dziatlau V., Prokopenko N.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Formation of silver and zinc selenide relief patterns by the lift-off photolithography method
Lysich D., Zelentsov S., Kotomina V., Antonov I.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
The influence of boundary conditions on the electrical conductivity of a thin cylindrical wire
Kuznetsova I., Savenko O., Yushkanov A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
Effect of a diamond heat spreader on the characteristics of gallium nitride-based transistors
Grishakov K., Elesin V., Kargin N., Ryzhuk R., Minnebaev S.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Investigation of the impact of plasma etching steps on the roughness of the fin FET channel sidewalls in the scheme of hetero-integration
Baranov G., Milenin A., Baklanov M.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
Photoelectric and optical properties of Schottky-barrier photodiodes based on IrSi–Si
Kerimov E.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
System-on-chip: Specifics of radiation behavior and estimation of radiation hardness
Kalashnikov O., Nekrasov P., Nikiforov A., Telets V., Chukov G., Elesin V.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Mathematical model of thin-film electrode polarization
Kuznetsova I., Kulikov A., Kulova T., Metlitskaya A., Mironenko A., Rudyi A., Skundin A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
The detection limit of curved InGaAs/AlGaAs/GaAs hall bars
Chesnitskiy A., Mikhantiev E.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
Characteristics of chloride memristors based on nanothick metal films
Rozanov R., Kondrashov V., Nevolin V., Chaplygin Y.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Modeling of the high aspect groove etching in Si in a Cl2/Ar mixture plasma
Shumilov A., Amirov I., Lukichev V.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
Use of thin film of a Co15Ti40N35 alloy for CVD catalytic growth of carbon nanotubes
Gromov D., Dubkov S., Pavlov A., Skorik S., Trifonov A., Shulyatev A., Shaman Y., Rygalin B.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
Simulation of the spectroscopic response and electron dynamics in a double quantum dot
Tsukanov A., Chekmachev V.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS transducers
Parfenov N.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Nanoelectromechanical diamond structures in quantum informatics. Part II
Tsukanov A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
Kinetics of growth and plasma destruction of polymer films deposited in a glow discharge in methane
Barinov S., Efremov A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 1 (2016)
Multilayer graphene-based flash memory
Novikov Y., Gritsenko V., Krasnikov G., Orlov O.
PDF
(Eng)
Том 45, № 3 (2016)
Non-stationary phase transitions in systems metallization of silicon structures
Skvortsov A., Zuev S., Koryachko M.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
The architecture of a branching prediction module based on a memristor and spintronic units with ultra-low power consumption
Kovalev A.
PDF
(Eng)
Том 45, № 2 (2016)
Nanoelectromechanical diamond structures in quantum informatics. Part I
Tsukanov A.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 26 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».