Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Voznyuk, G.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 52, № 7 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching
Том 52, № 14 (2018)
Lasers and Optoelectronic Devices
Annealing of FIB-Induced Defects in GaAs/AlGaAs Heterostructure
Том 52, № 16 (2018)
26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY
FIB Lithography Challenges of Si
3
N
4
/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy
Том 53, № 11 (2019)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Etching of Disc and Ring Patterns in Si
3
N
4
/GaN Structure by Ga+ FIB
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP