Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Voznyuk, G.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 52, № 7 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching
Том 52, № 14 (2018)
Lasers and Optoelectronic Devices
Annealing of FIB-Induced Defects in GaAs/AlGaAs Heterostructure
Том 52, № 16 (2018)
26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY
FIB Lithography Challenges of Si
3
N
4
/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy
Том 53, № 11 (2019)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Etching of Disc and Ring Patterns in Si
3
N
4
/GaN Structure by Ga+ FIB
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
Том 53, № 16 (2019)
Nanostructures Technology
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP