Physics of Semiconductor Devices

Выпуск Название Файл
Том 53, № 4 (2019) Large-Amplitude Shock Electromagnetic Wave in a Nonlinear Transmission Line Based on a Distributed Semiconductor Diode PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 53, № 4 (2019) High-Power Nano- and Picosecond Optoelectronic Switches Based on High-Voltage Silicon Structures with p–n Junctions. III. Self-Heating Effects PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 53, № 4 (2019) Inhomogeneous Injection and Heat-Transfer Processes in Reversely Switched Dynistors Operating in the Pulse-Frequency Repetition Modes with a Limited Heat Sink PDF
(Eng)
Gorbatyuk A., Ivanov B.
Том 53, № 4 (2019) Formation of Porous Silicon by Nanopowder Sintering PDF
(Eng)
Astrova E., Voronkov V., Nashchekin A., Parfeneva A., Lozhkina D., Tomkovich M., Kukushkina Y.
Том 53, № 4 (2019) Power Conversion Efficiencies of Perovskite and Dye-Sensitized Solar Cells under Various Solar Radiation Intensities PDF
(Eng)
Nikolskaia A., Kozlov S., Vildanova M., Shevaleevskiy O.
Том 53, № 4 (2019) Effect of Electron Irradiation with an Energy of 0.9 MeV on the I–V Characteristics and Low-Frequency Noise in 4H–SiC pin Diodes PDF
(Eng)
Dobrov V., Kozlovski V., Mescheryakov A., Usychenko V., Chernova A., Shabunina E., Shmidt N.
Том 53, № 3 (2019) EMF Induced in a p–n Junction under a Strong Microwave Field and Light PDF
(Eng)
Gulyamov G., Erkaboev U., Sharibaev N., Gulyamov A.
Том 53, № 3 (2019) Subnanosecond Avalanche Switching Simulations of n+–n–n+ Silicon Structures PDF
(Eng)
Podolska N., Rodin P.
Том 53, № 3 (2019) Simulation of Transient Processes in 4H-SiC Based Semiconductor Devices (Taking into Account the Incomplete Ionization of Dopants in the ATLAS Module of the SILVACO TCAD Software Package) PDF
(Eng)
Ivanov P., Potapov A., Samsonova T.
Том 53, № 3 (2019) Investigation into the Radiation Hardness of Photodiodes Based on Silicon-on-Sapphire Structures PDF
(Eng)
Kabalnov Y., Trufanov A., Obolensky S.
Том 53, № 2 (2019) Features of MIS Structures with Samarium Fluoride on Silicon and Germanium Substrates PDF
(Eng)
Shalimova M., Sachuk N.
Том 53, № 2 (2019) Effect of the Hydrogen Concentration on the Pd/n-InP Schottky Diode Photocurrent PDF
(Eng)
Grebenshchikova E., Sidorov V., Shutaev V., Yakovlev Y.
Том 53, № 1 (2019) On the Nature of the Increase in the Electron Mobility in the Inversion Channel at the Silicon–Oxide Interface after the Field Effect PDF
(Eng)
Goldman E., Nabiev A., Naryshkina V., Chucheva G.
Том 53, № 1 (2019) Influence of Annealing in Freon on the Crystalline Structure of Cadmium-Telluride Layers and the Efficiency of Thin-Film Solar Cells on Their Basis PDF
(Eng)
Khrypunov G., Meriuts A., Shelest T., Khrypunov M.
Том 53, № 1 (2019) Simulation of the Parameters of a Titanium-Tritide-Based Beta-Voltaic Cell PDF
(Eng)
Svintsov A., Yakimov E., Dorokhin M., Demina P., Kuznetsov Y.
Том 53, № 1 (2019) Current Noise and Efficiency Droop of Light-Emitting Diodes in Defect-Assisted Carrier Tunneling from an InGaN/GaN Quantum Well PDF
(Eng)
Bochkareva N., Ivanov A., Klochkov A., Shreter Y.
Том 53, № 1 (2019) Differential Equations for Reconstructing the Derived Anhysteretic Nonlinear I–V Characteristics of a Semiconductor Structure PDF
(Eng)
Kuzmichev N., Vasyutin M.
Том 53, № 1 (2019) Effect of the Electric Mode and γ Irradiation on Surface-Defect Formation at the Si–SiO2 Interface in a MOS Transistor PDF
(Eng)
Kulikov N., Popov V.
Том 52, № 16 (2018) Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications PDF
(Eng)
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
Том 52, № 16 (2018) Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode PDF
(Eng)
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
Том 52, № 16 (2018) Diode Polarization and Resistive Switching in Metal/TlGaSe2 Semiconductor/Metal Devices PDF
(Eng)
Seyidov M., Suleymanov R., Şale Y., Kandemir B.
Том 52, № 13 (2018) nBn-Photodiode Based on InAsSb/AlAsSb Alloys with a Long-Wavelength Cutoff of 5 μm PDF
(Eng)
Kulikov V., Maslov D., Sabirov A., Solodkov A., Dudin A., Katsavets N., Kogan I., Shukov I., Chaly V.
Том 52, № 13 (2018) GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm) PDF
(Eng)
Khvostikov V., Sorokina S., Potapovich N., Levin R., Marichev A., Timoshina N., Pushnyi B.
Том 52, № 13 (2018) AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation PDF
(Eng)
Khvostikov V., Kalinovskiy V., Sorokina S., Shvarts M., Potapovich N., Khvostikova O., Vlasov A., Andreev V.
Том 52, № 13 (2018) Radiation-Induced Damage of Silicon-Carbide Diodes by High-Energy Particles PDF
(Eng)
Strel’chuk A., Kozlovski V., Lebedev A.
26 - 50 из 198 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».