GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Photovoltaic laser-power converters with irradiation of the substrate side are developed based on lattice-matched GaInAs/InP heterostructures formed by metal-organic vapor-phase epitaxy. Variants of antireflection coatings with a reflection minimum at a wavelength of λ = 1064 nm as well as features of chip bonding using soldering pastes with different melting points are considered. The efficiency of 34.5% (1.2 W, λ =1064 nm) is achieved for the converters with the area of 3.5 × 3.5 mm2 at uniform radiation conditions.

Авторлар туралы

V. Khvostikov

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Sorokina

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Potapovich

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

R. Levin

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Marichev

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Timoshina

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

B. Pushnyi

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018