Surfaces, Interfaces, and Thin Films

Выпуск Название Файл
Том 53, № 2 (2019) Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers PDF
(Eng)
Kukushkin S., Mizerov A., Grashchenko A., Osipov A., Nikitina E., Timoshnev S., Bouravlev A., Sobolev M.
Том 53, № 2 (2019) Laser Annealing of Thin ITO Films on Flexible Organic Substrates PDF
(Eng)
Parshina L., Novodvorsky O., Khramova O., Lotin A., Khomenko M., Shchur P.
Том 53, № 1 (2019) Effect of Plasma-Chemical Surface Modification on the Electron Transport and Work Function in Silicon Crystals PDF
(Eng)
Yafarov R.
Том 53, № 1 (2019) Nonresonance Phase Conjugation of Light at the Surface of GaN Films Upon High-Power Optical Pumping PDF
(Eng)
Gruzintsev A., Redkin A.
Том 53, № 1 (2019) Sheet Resistance of the TiAlNiAu Thin-Film Metallization of Ohmic Contacts to Nitride Semiconductor Structures PDF
(Eng)
Torkhov N.
Том 53, № 1 (2019) Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1 –xSbx)2Te3 Topological Insulators PDF
(Eng)
Ryabova L., Khokhlov D., Galeeva A., Gomanko M., Tamm M., Yashina L., Danilov S.
Том 52, № 16 (2018) Near-Infrared InGaN Alloys Grown on High-In-Composition InGaN Buffer Layer PDF
(Eng)
Lianhong Yang ., Guo F., Zhang B., Li Y., Chen D.
Том 52, № 16 (2018) Microstructural Evolution of MOVPE Grown GaN by the Carrier Gas PDF
(Eng)
Demir I., Altuntas I., Kasapoğlu A., Mobtakeri S., Gür E., Elagoz S.
Том 52, № 16 (2018) Structural, Thermal and Luminescence Properties of AlN:Tm Thin Films Deposited on Silicon Substrate and Optical Fiber PDF
(Eng)
Muhammad Maqbool ., Alruwaili A., Milinovic D., Khan T., Ali G., Ahmad I.
Том 52, № 13 (2018) Optical Studies of Heat Transfer in PbTe:Bi(Sb) Thin Films PDF
(Eng)
Ivakin E., Kisialiou I., Nykyruy L., Yavorskyy Y.
Том 52, № 13 (2018) Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films PDF
(Eng)
Feklistov K., Cherkov A., Popov V., Fedina L.
Том 52, № 9 (2018) Effect of High-Dose Carbon Implantation on the Phase Composition, Morphology, and Field-Emission Properties of Silicon Crystals PDF
(Eng)
Yafarov R.
Том 52, № 9 (2018) Superficial Defect Formation in CdTe under the Radiation Effect of a CO2 Laser PDF
(Eng)
Shkumbatjuk P.
Том 52, № 9 (2018) Poole–Frenkel Effect and the Opportunity of Its Application for the Prediction of Radiation Charge Accumulation in Thermal Silicon Dioxide PDF
(Eng)
Shiryaev A., Vorotyntsev V., Shobolov E.
Том 52, № 9 (2018) Structure and Electrical Properties of Zirconium-Doped Tin-Oxide Films PDF
(Eng)
Sitnikov A., Zhilova O., Babkina I., Makagonov V., Kalinin Y., Remizova O.
Том 52, № 8 (2018) On Recombination Processes in CdS–PbS Films PDF
(Eng)
Rokakh A., Shishkin M., Atkin V.
Том 52, № 8 (2018) Effect of the Ag Nanoparticle Concentration in TiO2–Ag Functional Coatings on the Characteristics of GaInP/GaAs/Ge Photoconverters PDF
(Eng)
Lunin L., Lunina M., Kravtsov A., Sysoev I., Blinov A., Pashchenko A.
Том 52, № 6 (2018) Optical Properties of Multilayered Sol–Gel Zinc-Oxide Films PDF
(Eng)
Denisov N., Chubenko E., Bondarenko V., Borisenko V.
Том 52, № 3 (2018) Surface Nanostructures Forming during the Early Stages of the Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon. Optical Properties of Silver Nanoparticles PDF
(Eng)
Zharova Y., Tolmachev V., Bednaya A., Pavlov S.
Том 52, № 3 (2018) Influence of the Thermal Conditions of Fabrication and Treatment on the Optical Properties of In2O3 Films PDF
(Eng)
Tikhii A., Nikolaenko Y., Zhikhareva Y., Kornievets A., Zhikharev I.
Том 52, № 2 (2018) Oxygen Nitrogen Mixture Effect on Aluminum Nitride Synthesis by Reactive Ion Plasma Deposition PDF
(Eng)
Lubyanskiy Y., Bondarev A., Soshnikov I., Bert N., Zolotarev V., Kirilenko D., Kotlyar K., Pikhtin N., Tarasov I.
Том 52, № 1 (2018) Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm1–xGdxS Thin Films PDF
(Eng)
Kaminsky V., Soloviev S., Khavrov G., Sharenkova N.
Том 51, № 12 (2017) Production and identification of highly photoconductive CdSe-based hybrid organic-inorganic multi-layer materials PDF
(Eng)
Yfanti-Katti M., Prokopos-Chouliaras F., Milonakou-Koufoudaki K., Mitzithra C., Kordatos K., Hamilakis S., Kollia C., Loizos Z.
Том 51, № 12 (2017) Effect of Ag in CdSe thin films prepared using thermal evaporation PDF
(Eng)
Santhosh T., Bangera K., Shivakumar G.
Том 51, № 12 (2017) Al-doped and pure ZnO thin films elaborated by sol–gel spin coating process for optoelectronic applications PDF
(Eng)
Maache M., Devers T., Chala A.
26 - 50 из 83 результатов << < 1 2 3 4 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».