Electronic Properties of Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 53, № 13 (2019) First-Principles Investigation of Electronic Properties of GaAsxSb1 –x Ternary Alloys PDF
(Eng)
Singh A., Chandra D., Kattayat S., Kumar S., Alvi P., Rathi A.
Том 53, № 13 (2019) Electron Mobility Calculation of Diluted III–V-Nitrides Alloys PDF
(Eng)
Chakir K., Bilel C., Rebey A.
Том 53, № 12 (2019) Effect of Irradiation with 15-MeV Protons on Low Frequency Noise in Power SiC MOSFETs PDF
(Eng)
Lebedev A., Levinshtein M., Ivanov P., Kozlovski V., Strel’chuk A., Shabunina E., Fursin L.
Том 53, № 12 (2019) Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures PDF
(Eng)
Muratov T.
Том 53, № 12 (2019) On the Characteristic Features of the Impurity Energy Spectrum in Arsenides PDF
(Eng)
Kamiliov I., Daunov M., Gajiev G., Arslanov R.
Том 53, № 12 (2019) First-Principles Investigation of Electronic Properties of GaAsxSb1 –x Ternary Alloys PDF
(Eng)
Singh A., Chandra D., Kattayat S., Kumar S., Alvi P., Rathi A.
Том 53, № 12 (2019) Temperature Dependence of the Band Gap of MnAgIn7S12 Single Crystals PDF
(Eng)
Bodnar I., Chan B., Pavlovskii V., Svitsiankou I., Yablonskii G.
Том 53, № 11 (2019) Temperature Coefficient of Movement of the Resonance Level of Iron in Pb1 – x – ySnxFeyTe Alloys PDF
(Eng)
Skipetrov E., Kovalev B., Skipetrova L., Knotko A., Slynko V.
Том 53, № 10 (2019) Magnetosonic Waves in a Two-Dimensional Electron Fermi Liquid PDF
(Eng)
Alekseev P.
Том 53, № 10 (2019) Microwave Magnetic Absorption in HgSe with Co and Ni Impurities PDF
(Eng)
Veinger A., Kochman I., Frolov D., Okulov V., Govorkova T., Paranchich L.
Том 53, № 8 (2019) Spin–Orbit Interaction and Carrier Mobility in a Longitudinal InSb Autosoliton under a Magnetic Field PDF
(Eng)
Kamilov I., Stepurenko A., Gummetov A.
Том 53, № 8 (2019) Effect of X-Ray Radiation on the Optical Properties of Photorefractive Bismuth-Silicate Crystals PDF
(Eng)
Avanesyan V., Piskovatskova I., Stozharov V.
Том 53, № 8 (2019) Some Physical Properties of the New Intermetallic Compound NbCd2 PDF
(Eng)
Tuleushev Y., Zhakanbaev E., Migunova A., Nicenko A., Volodin V.
Том 53, № 7 (2019) On the Poole–Frenkel Effect in Polycrystalline Europium Sulfide PDF
(Eng)
Kazanin M., Kaminski V., Grevtsev M.
Том 53, № 7 (2019) Structure of the Energy Spectrum of Holes in IV–VI Materials from a Different Viewpoint PDF
(Eng)
Prokofieva L., Konstantinov P.
Том 53, № 7 (2019) Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium PDF
(Eng)
Yurasov D., Baidakova N., Drozdov M., Morozova E., Kalinnikov M., Novikov A.
Том 53, № 6 (2019) Analysis of the Optical Properties of Plastically Deformed ZnS(O) Using Band-Anticrossing Theory PDF
(Eng)
Morozova N., Miroshnikova I., Galstyan V.
Том 53, № 6 (2019) DLTS Investigation of the Energy Spectrum of Si:Mg Crystals PDF
(Eng)
Yarykin N., Shuman V., Portsel L., Lodygin A., Astrov Y., Abrosimov N., Weber J.
Том 53, № 5 (2019) On Estimates of the Electron Affinity of Silicon-Carbide Polytypes and the Band Offsets in Heterojunctions Based on These Polytypes PDF
(Eng)
Davydov S.
Том 53, № 4 (2019) Thermoelectric Characteristics of Heavily Doped p-Type Lead Telluride at Different Heavy-Hole Band Depths PDF
(Eng)
Dmitriev A.
Том 53, № 3 (2019) Specific Features of the Electron Spin Resonance of an Iron Impurity in HgSe Crystals PDF
(Eng)
Veinger A., Kochman I., Okulov V., Govorkova T., Andriichuk M., Paranchich L.
Том 53, № 3 (2019) Effect of the Copper Content on the Kinetics of the Microwave Photoconductivity of CIGS Solid Solutions PDF
(Eng)
Novikov G., Rabenok E., Orishina P., Gapanovich M., Odin I.
Том 53, № 2 (2019) Features of the Properties of Rare-Earth Semiconductors PDF
(Eng)
Kaminski V., Sharenkova N.
Том 53, № 2 (2019) Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions PDF
(Eng)
Sobolev N., Aleksandrov O., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Kalyadin A., Parshin E., Melesov N.
Том 53, № 1 (2019) Study of the Effect of Doping with Iron on the Luminescence of Zinc-Selenide Single Crystals PDF
(Eng)
Gladilin A., Ilichev N., Kalinushkin V., Studenikin M., Uvarov O., Chapnin V., Tumorin V., Novikov G.
1 - 25 из 123 результатов 1 2 3 4 5 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».