Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 53, № 12 (2019)
Charge Transfer in Gap Structures Based on the Chalcogenide System (As2Se3)100 –xBix
Castro R., Khanin S., Smirnov A., Kononov A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Recombination in GaAs p–i–n Structures with InGaAs Quantum-Confined Objects: Modeling and Regularities
Mintairov M., Evstropov V., Mintairov S., Salii R., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Time-Resolved Photoluminescence of InGaAs Nanostructures Different in Quantum Dimensionality
Nadtochiy A., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Sannikov D., Yagafarov T., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Measurements of electrophysical characteristics of semiconductor structures with the use of microwave photonic crystals
Usanov D., Nikitov S., Skripal A., Ponomarev D., Latysheva E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V., Gusev N., Mashin A., Morozova E., Nezhdanov A., Novikov A., Skorohodov E., Shengurov D., Yablonskiy A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition
Shengurov V., Filatov D., Denisov S., Chalkov V., Alyabina N., Zaitsev A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures
Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Semiconductor Heterolasers with Double-Mirror Two-Dimensional Bragg Resonators
Baryshev V., Ginzburg N., Zaslavsky V., Malkin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Study of the Formation Process of Memristor Structures Based on Copper Sulfide
Belov A., Golishnikov A., Mastinin A., Perevalov A., Shevyakov V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation
Khananova A., Obolensky S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Study of the Photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS Structure at Cryogenic Temperatures
Bondarev I., Rautskii M., Yakovlev I., Volochaev M., Lukyanenko A., Tarasov A., Volkov N.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
The Effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Antonov I.
PDF
(Eng)
1 - 12 из 12 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах