Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Payusov, A. S.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 9 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance
Том 52, № 10 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates
Том 52, № 11 (2018)
Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018
Reduction of Internal Loss and Thermal Resistance in Diode Lasers with Coupled Waveguides
Том 52, № 14 (2018)
Lasers and Optoelectronic Devices
Diode Lasers with Near-Surface Active Region
Том 53, № 2 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Lateral Mode Discrimination in Edge-Emitting Lasers with Spatially Modulated Facet Reflectance
Том 53, № 10 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels
Том 53, № 12 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm)
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP