Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Kalyadin, A. E.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties
Том 50, № 2 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated
p
-Si
Том 51, № 9 (2017)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
Том 53, № 2 (2019)
Electronic Properties of Semiconductors
Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions
Том 53, № 2 (2019)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions
Том 53, № 4 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP