Информация об авторе

Kirilenko, D. A.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 7 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Chloride epitaxy of β-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates
Том 51, № 1 (2017) Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds
Том 52, № 2 (2018) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Oxygen Nitrogen Mixture Effect on Aluminum Nitride Synthesis by Reactive Ion Plasma Deposition
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization The Features of GaAs Nanowire SEM Images
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE CHARACTERIZATION Atomic Force Microscopy Study of Monodisperse Carbon Nanoparticles
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Self-Catalyzed MBE-Grown GaP Nanowires on Si(111): V/III Ratio Effects on the Morphology and Crystal Phase Switching
Том 53, № 8 (2019) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Template Synthesis of Monodisperse Submicrometer Spherical Nanoporous Silicon Particles
Том 53, № 8 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Molecular-Beam Epitaxy of Two-Dimensional GaSe Layers on GaAs(001) and GaAs(112) Substrates: Structural and Optical Properties

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».