Real Structure of Crystals

Выпуск Название Файл
Том 64, № 6 (2019) Electron Microscopy of the Microstructure of Nb–Ti Tapes PDF
(Eng)
Ovcharov A., Karateev I., Karateeva K., Guryev V., Shavkin S., Vasiliev A.
Том 64, № 6 (2019) Epitaxial Mechanism of Diamond Crystal Nucleation on a Mo {110} Substrate during Chemical Vapor Deposition PDF
(Eng)
Zheligovskaya E., Bulienkov N., Blaut-Blachev A.
Том 64, № 5 (2019) Orientation Relationships and Lattice Misfit between a Nb Matrix and γ-Silicide in a Nb–Si Composite PDF
(Eng)
Zavodov A., Zaytsev D., Kuzmina N., Svetlov I.
Том 64, № 5 (2019) Electrochemical Emission during Discontinuous Creep of Aluminum‒Magnesium Alloy PDF
(Eng)
Shibkov A., Denisov A., Gasanov M., Zolotov A., Zheltov M.
Том 64, № 4 (2019) Structural Study of Defects in Granulated EP741NP Nickel Alloy PDF
(Eng)
Trunkin I., Artamonov M., Ovcharov A., Vasiliev A.
Том 64, № 4 (2019) Specific Features of Microstructure Formation in Co–Cr–Ni–W–Ta Alloys and Their Mechanical Properties PDF
(Eng)
Mazalov I., Suhov D., Nerush S., Sulyanova E.
Том 64, № 4 (2019) High-Temperature Precipitation of Impurities within the Vlasov Model for Solids PDF
(Eng)
Talanin V., Talanin I.
Том 64, № 3 (2019) Specific Features of Distribution and Relaxation of Elastic Stresses in Homoepitaxial CVD Films of Germanium and Diamond PDF
(Eng)
Prokhorov I., Voloshin A., Romanov D., Bolshakov A., Ralchenko V.
Том 64, № 2 (2019) New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111)A Substrate PDF
(Eng)
Trunkin I., Vasiliev A., Vasil’evskii I., Vinichenko A., Klimov E., Klochkov A., Maltsev P., Pushkarev S., Galiev G.
Том 64, № 2 (2019) Influence of the Crystal Structure of the Nucleus on the Morphology of t-ZnO Tetrapods PDF
(Eng)
Avilov S., Tuchin A., Shebanov A., Domashevskaya E.
Том 64, № 1 (2019) Investigation of the Intrinsic Defects of LiTaO3 Crystals by NMR Spectroscopy PDF
(Eng)
Yatsenko A., Palatnikov M., Sidorov N.
Том 63, № 7 (2018) Structure and Properties of Syntetic Layered Lithium-Containing Silicates PDF
(Eng)
Palchik N., Moroz T., Miroshnichenko L.
Том 63, № 7 (2018) X-ray Interferometric Investigation of Strain Fields in Silicon Single Crystals PDF
(Eng)
Drmeyan H.
Том 63, № 5 (2018) Optimization of the Growth Technology for Crystals with Garnet Structure Based on X-Ray Diffraction Data PDF
(Eng)
Prokhorov I., Zakharov B., Strelov V.
Том 63, № 3 (2018) Formation of Dislocations and Twins As a Result of Uniaxial Compression of Magnesium Single Crystals: Molecular Dynamics Simulation PDF
(Eng)
Vlasova A., Nikonov A.
Том 63, № 1 (2018) Nanohematite from Ferruginous Quartzites of Kursk Magnetic Anomaly According to Transmission Electron Microscopy Data PDF
(Eng)
Zhukhlistov A., Novikov V.
Том 62, № 4 (2017) Low-Temperature epitaxial growth of InGaAs films on InP(100) and InP(411)A substrates PDF
(Eng)
Galiev G., Klimova E., Pushkarev S., Klochkov A., Trunkin I., Vasiliev A., Maltsev P.
Том 62, № 4 (2017) Microstructural study of He+-implanted and thermally annealed silicon-on-sapphire layers PDF
(Eng)
Chesnokova Y., Aleksandrova P., Belova N., Shemardov S., Vasiliev A.
Том 62, № 2 (2017) Crystal structure of stacking faults in InGaAs/InAlAs/InAs heterostructures PDF
(Eng)
Trunkin I., Presniakov M., Vasiliev A.
Том 62, № 2 (2017) First-principles estimate of Peierls energy in sodium chloride PDF
(Eng)
Belov A.
Том 62, № 2 (2017) Specific features of the formation of dislocation structure in gallium arsenide single crystals obtained by the Czochralski method PDF
(Eng)
Parfenteva I., Pugachev B., Pavlov V., Kozlova Y., Knyazev C., Yugova T.
Том 62, № 1 (2017) Influence of arsenic flow on the crystal structure of epitaxial GaAs grown at low temperatures on GaAs (100) and (111)A substrates PDF
(Eng)
Galiev G., Klimov E., Vasiliev A., Imamov R., Pushkarev S., Trunkin I., Maltsev P.
Том 62, № 1 (2017) Crystal-chemical characteristics of nontronites from bottom sediments of Pacific ocean PDF
(Eng)
Palchik N., Moroz T., Grigorieva T., Nikandrova N., Miroshnichenko L.
Том 61, № 6 (2016) X-ray diffraction characterization of epitaxial CVD diamond films with natural and isotopically modified compositions PDF
(Eng)
Prokhorov I., Voloshin A., Ralchenko V., Bolshakov A., Romanov D., Khomich A., Sozontov E.
Том 61, № 6 (2016) Study of the nanosiderite from ferruginous quartzites of Kursk magnetic anomaly by transmission electron microscopy PDF
(Eng)
Zhukhlistov A., Novikov V.
1 - 25 из 27 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».