Mikroèlektronika
Журнал посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлении, легировании, осаждении и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится пучковым и плазменным технологиям, в том числе молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических принципов, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и полупроводниковые реализации квантовых битов (кубитов).
Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.
Журнал основан в 1972 году.
Current Issue



Vol 52, No 3 (2023)
ДИАГНОСТИКА
Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток {InGaAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) и (111)A
Abstract
Сообщается о получении сверхрешeток с псевдоморфно напряжeнными квантовыми ямами {I-n



КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Прецизионная томография кудитов
Abstract
Многоуровневые квантовые состояния (кудиты) представляют собой перспективную платформу для масштабируемых квантовых вычислений. В настоящей работе представлен метод высокоточного контроля таких систем с помощью нечетких квантовых измерений. Разработанный метод применяется для прецизионной реконструкции квантовых состояний в условиях существенного влияния декогерентизации и квантовых шумов. Рассмотрены протоколы квантовых измерений на основе взаимно- несмещeнных базисов различных размерностей. Исследованы характеристики точности наборов случайных состояний, равномерно распределенных по мере Хаара.



Запись поляризационного состояния фотона в коррелированные электронные состояния массива квантовых точек
Abstract
Предложена схема преобразования транспортного фотонного кубита в стационарный кубит, представленный электронными состояниями квантовых точек. Выбор базисных состояний кубита в виде антисимметричных комбинаций возбужденных состояний массива квантовых точек обеспечивает их устойчивость по отношению к процессам фотонной/фононной релаксации. Формирование данных состояний обусловлено взаимодействиями Штарка и Ферстера между электронами, локализованными в квантовых точках. Рассмотрен алгоритм контролируемой трансформации (записи) фотонного состояния в электронные состояния квантовых точек с использованием оптических и электростатических полей. Исследована возможность подстройки частоты электронных переходов в квантовых точках в арсенид-галлиевой наноструктуре с помощью металлических затворов и заряженной иглы кантилевера.



МОДЕЛИРОВАНИЕ
Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора
Abstract
В работе проводится построение нелинейной модели AlGaAs/InGaAs/GaAs рHEMT СВЧ транзисторов с длиной затвора 0.15 мкм с применением параметрических методов анализа. При расчетах были учтены не только нелинейные источники тока, но и зависимости нелинейных емкостей затвор-исток и затвор-сток от напряжений. Показано, что предложенная модель достаточно удовлетворительно позволяет описать вольт-амперные характеристики исследуемого прибора в диапазоне токов на стоке от 0 до 100 мА и диапазоне частот от 5 до 45 ГГц. Погрешность модели не превышает 3%.



Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи
Abstract
На основе теории функционала плотности (DFT) с учетом спиновой поляризации (LSDA) нами рассчитаны адсорбционные и диффузионные свойства атома лития на монослое графена (



МЭМС–УСТРОЙСТВА
Быстрый электрохимический микронасос для портативного модуля доставки лекарств
Abstract
Микрофлюидные устройства способны осуществлять прецизионную доставку лекарств в организм человека. Для этой цели они должны оснащаться компактным насосом, обеспечивающим высокий расход жидкости и точную дозировку. В настоящей работе представлен микронасос на основе быстрого электрохимического актюатора, отвечающий этим требованиям. Он содержит три актюатора, работающих в перистальтическом режиме. Устройство изготавливается на основе стеклянных и кремниевых пластин с использованием стандартных процессов микротехнологии. Рабочая часть насоса имеет размер около 3 мм3, что на порядок меньше по сравнению с мембранными насосами других типов. Малый размер актюаторов обеспечивает сверхвысокую точность дозировки жидкости, составляющую 0.14 нл. В то же время, высокая частота работы актюаторов позволяет развивать удельную скорость перекачки, сравнимую с насосами других типов.



ТЕХНОЛОГИИ
Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники
Abstract
В работе представлены результаты применения водородной ЭЦР плазмы в технологии микроэлектроники. Продемонстрировано ее влияние на радиационную стойкость ИС и на качество омического контакта при формировании UBM металлизации. Проведен анализ устройств, полученных с применением ЭЦР плазмы и без нее.



УСТРОЙСТВА
Моделирование системы наноантенн, расположенных в канале TSV, в качестве системы приема-передачи данных
Abstract
Представлены результаты теоретического исследования поведения системы устройств нанофотоники, состоящей из приемной и передающей плазмонных металлических антенн. На основе метода конечных элементов рассчитаны основные параметры антенн, располагающихся в канале TSV и принимающих сигнал в терагерцовом диапазоне частот. Определены предельная дальность передачи сигнала, а также коэффициент его усиления. Сделаны выводы о пригодности представленной конфигурации в качестве системы беспроводного приема-передачи данных в трехмерных интегральных схемах.


