Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Levinshtein, M. E.
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卷 50, 编号 3 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an
n
-type Blocking Base
卷 50, 编号 5 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4
H
-SiC junction barrier Schottky rectifiers
卷 51, 编号 2 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4
H
-SiC thyristors
卷 51, 编号 6 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
On the limit of the injection ability of silicon
p
+
–
n
junctions as a result of fundamental physical effects
卷 51, 编号 8 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers
卷 51, 编号 9 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Transient switch-off of a 4
H
-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode
卷 53, 编号 10 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4
H
-SiC JBS Schottky Diodes
卷 53, 编号 12 (2019)
Electronic Properties of Semiconductors
Effect of Irradiation with 15-MeV Protons on Low Frequency Noise in Power SiC MOSFETs
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