Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 52, № 15 (2018)
Patterns of Variation in the External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green LEDs during Accelerated Tests
Sergeev V., Frolov I., Shirokov A., Radaev O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
An Estimate for the Nonradiative Linewidths of the Quasibound Electron-Hole Pairs in Narrow Quantum Wells
Belov P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
On the Suppression of Electron-Hole Exchange Interaction in a Reservoir of Nonradiative Excitons
Eliseev S., Lovtcius V., Trifonov A., Ignatiev I., Kavokin K., Kavokin A., Shapochkin P., Efimov Y.
PDF
(Eng)
Том 52, № 15 (2018)
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Influence of Holes Capture Efficiency on Photoluminescence Temperature Dependence of n-AlGaAs/GaAs Quantum-Well Structures
Yaremenko N., Strakhov V., Karachevtseva M.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Electron–Phonon Interaction in Quantum Wells Based on Uniaxial Materials
Maslov A., Proshina O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAs Structures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
Krivobok V., Litvinov D., Nikolaev S., Onishchenko E., Pashkeev D., Chernopittsky M., Grigor’eva L.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Residual-Photoconductivity Spectra in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures
Spirin K., Gaponova D., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Luminescence Line Broadening Caused by Alloy Disorder in InGaN Quantum Wells
Arteev D., Sakharov A., Lundin W., Zavarin E., Zakheim D., Tsatsulnikov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
The Cavity-Effect in Site-Controlled GaN Nanocolumns with InGaN Insertions
Kazanov D., Evropeytsev E., Shubina T.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction
Yajie Li , Wang P., Meng F., Yu H., Zhou X., Wang H., Pan J.
PDF
(Eng)
Том 53, № 13 (2019)
Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Zhukov A., Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kaliteevski M., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Alferov Z.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates
Khabibullin R., Yachmenev A., Lavrukhin D., Ponomarev D., Bugayev A., Maltsev P.
PDF
(Eng)
1 - 18 из 18 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах