Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Romanov, V. V.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Effect of multicomponent InAsSbP matrix surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth
Том 50, № 8 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
Том 52, № 4 (2018)
XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, June 26–30, 2017. Transport In Heterostructures
High Temperature Quantum Kinetic Effects in Silicon Nanosandwiches
Том 53, № 6 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Light-Emitting Diodes Based on an Asymmetrical InAs/InAsSb/InAsSbP Double Heterostructure for CO
2
(λ = 4.3 μm) and CO (λ = 4.7 μm) Detection
Том 53, № 12 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
De Haas–van Alphen Oscillations of the Silicon Nanostructure in Weak Magnetic Fields at Room Temperature. Density of States
Том 53, № 12 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Thermodynamic Description of Oscillations of the Magnetization of a Silicon Nanostructure in Weak Fields at Room Temperature. Density of States
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP