Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Mikoushkin, V. M.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 52, № 5 (2018)
XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization
Composition and Band Structure of the Native Oxide Nanolayer on the Ion Beam Treated Surface of the GaAs Wafer
Том 52, № 16 (2018)
26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE CHARACTERIZATION
Сomposition Depth Profiling of the GaAs Native Oxide Irradiated by an Ar
+
Ion Beam
Том 52, № 16 (2018)
26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE CHARACTERIZATION
In situ
Bandgap Determination of the GaAsN Nanolayer Prepared by Low-Energy
\({\text{N}}_{2}^{ + }\)
Ion Implantation
Том 53, № 4 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film
Том 53, № 14 (2019)
Nanostructures Characterization
Arsenic Diffusion in the Natural Oxidation of the Heavily Defected GaAs Surface
Том 53, № 14 (2019)
Nanostructures Characterization
J
–
V
Characteristic of
p
–
n
Structure Formed on
n
-GaAs Surface by Ar
+
Ion Beam
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP