Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The temperature dependences of the current–voltage characteristics and photosensitivity of composite layers of silicon and gold nanoparticles on single-crystal silicon with p-type conductivity are investigated. The current transfer mechanisms in the structures and their influence on the photosensitivity of structures with different amounts of gold in the composite layer are determined.

Об авторах

M. Teplyakov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Автор, ответственный за переписку.
Email: twarm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

O. Ken

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

D. Goryachev

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

O. Sreseli

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).