Отправить статью по E-mail Polytype inclusions and polytype stability in silicon-carbide crystals
- Авторы: Avrov D.D.1, Lebedev A.O.2, Tairov Y.M.1
-
Учреждения:
- St. Petersburg State Electrotechnical University
- Ioffe Physical—Technical Institute
- Выпуск: Том 50, № 4 (2016)
- Страницы: 494-501
- Раздел: Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/196997
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040059
- ID: 196997
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
On the basis of both published data and our own experimental data we consider the main aspects of the problem related to ensuring polytype stability for ingots of grown 4H and 6H silicon-carbide compounds.
Ключевые слова
Об авторах
D. Avrov
St. Petersburg State Electrotechnical University
Email: siclab-tairov@yandex.ru
Россия, St. Petersburg, 197376
A. Lebedev
Ioffe Physical—Technical Institute
Email: siclab-tairov@yandex.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
Yu. Tairov
St. Petersburg State Electrotechnical University
Автор, ответственный за переписку.
Email: siclab-tairov@yandex.ru
Россия, St. Petersburg, 197376
Дополнительные файлы
