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Volume 52, Nº 15 (2018)
Patterns of Variation in the External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green LEDs during Accelerated Tests
Sergeev V., Frolov I., Shirokov A., Radaev O.
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(Eng)
Volume 53, Nº 13 (2019)
Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Zhukov A., Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kaliteevski M., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Alferov Z.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
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(Eng)
Volume 50, Nº 2 (2016)
Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates
Khabibullin R., Yachmenev A., Lavrukhin D., Ponomarev D., Bugayev A., Maltsev P.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
An Estimate for the Nonradiative Linewidths of the Quasibound Electron-Hole Pairs in Narrow Quantum Wells
Belov P.
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(Eng)
Volume 53, Nº 9 (2019)
On the Suppression of Electron-Hole Exchange Interaction in a Reservoir of Nonradiative Excitons
Eliseev S., Lovtcius V., Trifonov A., Ignatiev I., Kavokin K., Kavokin A., Shapochkin P., Efimov Y.
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(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
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(Eng)
Volume 53, Nº 15 (2019)
Influence of Holes Capture Efficiency on Photoluminescence Temperature Dependence of n-AlGaAs/GaAs Quantum-Well Structures
Yaremenko N., Strakhov V., Karachevtseva M.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
Electron–Phonon Interaction in Quantum Wells Based on Uniaxial Materials
Maslov A., Proshina O.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAs Structures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
Krivobok V., Litvinov D., Nikolaev S., Onishchenko E., Pashkeev D., Chernopittsky M., Grigor’eva L.
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(Eng)
Volume 50, Nº 3 (2016)
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
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(Eng)
Volume 53, Nº 10 (2019)
Residual-Photoconductivity Spectra in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures
Spirin K., Gaponova D., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S.
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(Eng)
Volume 53, Nº 14 (2019)
Luminescence Line Broadening Caused by Alloy Disorder in InGaN Quantum Wells
Arteev D., Sakharov A., Lundin W., Zavarin E., Zakheim D., Tsatsulnikov A.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
The Cavity-Effect in Site-Controlled GaN Nanocolumns with InGaN Insertions
Kazanov D., Evropeytsev E., Shubina T.
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(Eng)
Volume 52, Nº 16 (2018)
Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction
Yajie Li , Wang P., Meng F., Yu H., Zhou X., Wang H., Pan J.
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